在金属板的第一面形成光致抗蚀图案，该光致抗蚀图案用于各自形成用于搭载半导体元件的半导体元件搭载部、用于与半导体元件的电极连接的半导体元件电极连接端子、第一外框部；金属板的第二面形成光致抗蚀图案，该光致抗蚀图案用于各自形成外部连接端子、第二外框部、在第二外框部的至少一部分上的沟部。在第二面的金属板露出的金属板露出部用蚀刻的方法形成不贯通金属板露出部的孔部、横穿从第二外框部的内侧至外侧的沟部；在孔部与沟部通过以平板冲压来加热、加压、涂敷预成型树脂的方法形成树脂层。通过蚀刻第一面来形成半导体元件搭载部、与外部连接端子电连接的半导体元件电极连接端子、第一外框部。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及封装半导体元件的半导体封装件基板，特别是涉及。本申请基于2008年9月30日在日本申请的专利申请2008-2M311号主张优先权， 并将其内容引用于此。
技术介绍
在利用以QFP(Quad Flat lockage 四面扁平封装)为代表的引线框的半导体封装件中，用于与印刷引线基板连接的外部引线配置于半导体封装件的侧面。引线框在金属板的两面形成所希望的光致抗蚀图案，并从两面蚀刻，由此能够得到半导体元件搭载部、与半导体元件电极连接的连接部即内部引线、外部引线以及用于固定它们的外框部。此外，除了蚀刻加工法，也能够由基于冲压的穿孔加工得到。作为半导体封装件的组装工序，在半导体元件搭载部管芯焊接半导体元件后，利用金丝等电连接半导体元件的电极与内部引线。然后，用树脂封固包括内部引线部的半导体元件的附近，并剪断外框部，并根据需要在外部引线实施弯曲加工。这样设置在侧面的外部引线，从精密加工能力的角度看来，对于约30mm见方封装尺寸所能够设置的管脚数上限为200至300个。近年来，随着半导体元件的电极数的增加，在侧面具有外部引线的引线框型半导体封装件已无法满足对端子数的要求，所以有一部分已被置换成特定的半导体封装件，该特定的半导体封装件的如BGA(Ball Grid Array 球阵列封装)或LGA(Land Grid Array 触电阵列封装)型等与印刷布线基板连接的外部连接端子在封装件基板底面配置为阵列状。用于这些封装的基板，通常是用钻孔器在两面覆铜环氧玻璃基板上打孔，并电镀孔内部而使其导电，在一个面上形成用于连接半导体元件的电极的端子，在另一个面上形成排列成阵列状的外部连接端子。然而，这些基板的制造工序复杂、成本高，并且，将电镀用于基板内的布线连接，所以与引线框型的封装件相比，存在可靠性低劣的问题。因此，已公开利用称为从两面蚀刻引线框的工序，使用引线框的BGA型的半导体封装件结构。(例如专利文献1)这是这样的方式改变表里的光致抗蚀图案来同时蚀刻，或者，蚀刻一侧后，在蚀刻面表层形成电沉积聚酰亚胺树脂膜或是涂敷预成型树脂之后，从另一面加以蚀刻，由此在一个面上形成半导体元件电极的连接端子，在另一面上形成阵列状的外部连接端子。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利第3642911号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题图5A及图5B示出了以往技术的剖面图。在BGA型的引线框中，如增加外部连接端子111的数量，则半导体元件电极连接端子109侧的引线110的长度变长。因为该引线是半蚀刻(half etching)金属板而制造的， 所以其宽度和厚度都小，由此在蚀刻以后的工序中存在发生折断及弯曲这样的生产率变得非常差的问题。在专利文献1中已公开这样的技术首先只对外部连接端子111侧进行半蚀刻，然后在蚀刻面形成电沉积聚酰亚胺层117之后，再通过蚀刻来形成半导体元件电极连接端子 109侧。由此，微细的布线110虽然是薄膜，但由电沉积聚酰亚胺层117支撑，因此可以避免制造引线框时的引线的折断或弯曲。然而，在本结构的引线框基板上搭载半导体元件，并通过引线接合来连接半导体元件电极与半导体元件电极连接端子109时，由于连接端子109的下部为中空，所以会有这样的问题因引线连接力不足而导致连接不良，明显地降低组装生产率。。此外，虽然专利文献1中没有记载，但也考虑了这样的一个对策用预成型树脂代替电沉积聚酰亚胺层来进行焊接(键合，bonding)，从而加厚树脂层的。可以推测到，若根据该对策，则能够在一定程度上避免焊接不良问题。但是，该方法也绝不可以说是能够满足要求的技术。原因是，即便如此也不能够完全避免中空状态。此外，调整预成型树脂的涂敷量非常难，如涂敷量变大则在外部连接端子 111上也形成树脂层，会导致需要增加一些除去工序的问题。此外，由于预成型树脂通常使用热固化环氧树脂类，所以不可避免固化收缩，在蚀刻后的金属表面上不能确保紧贴性，由此会导致如下问题在组装工序中的加热处理中发生剥离，或在热周期测试中也不能确保可靠性。本专利技术是为了解决上述问题而做出的，其目的在于，提供一种能够应对半导体元件的电极数的增加、可靠性高，能够容易并且稳定地制造及组装半导体封装件的。用于解决问题的手段本专利技术的第一方式是一种引线框基板的制造方法，其特征在于，在金属板的第一面上形成光致抗蚀图案，形成在所述第一面上的光致抗蚀图案用于分别形成用于搭载半导体元件的半导体元件搭载部、用于与所述半导体元件的电极连接的半导体元件电极连接端子、第一外框部；在所述金属板的第二面上形成光致抗蚀图案，形成在所述第二面上的光致抗蚀图案用于分别形成外部连接端子、第二外框部、在所述第二外框部的至少一部分上的沟部；在所述第二面的露出金属板的金属板露出部，通过蚀刻来形成不贯通所述金属板露出部的孔部、从所述第二外框部的内侧横穿至外侧的沟部；在所述孔部与所述沟部，通过平板冲压来加热、加压、涂敷预成型树脂，从而形成树脂层；通过蚀刻所述第一面，来形成所述半导体元件搭载部、与所述外部连接端子电连接的所述半导体元件电极连接端子、所述第一外框部。本专利技术的第二方式是根据第一方式记载的引线框基板的制造方法，其特征在于， 在所述第二面的所述金属板露出部形成所述孔部和所述沟部之后，对所蚀刻的表面实施粗糙化处理。本专利技术的第三方式是一种引线框基板，其特征在于，金属板，其具有第一面与第二面；半导体元件搭载部，其形成在所述第一面上，用于搭载半导体元件；半导体元件电极连接端子，其形成在所述第一面上，用于与所述半导体元件的电极连接；第一外框部，其形成在所述第一面上；外部连接端子，其形成在所述第二面上，与所述半导体元件电极连接端子电连接；树脂层，其形成在所述第二面上；第二外框部，其形成在所述第二面上，与所述第一外框部一体成形；沟部，其设置在所述第二面侧的至少一部分上，从所述第二外框部的内侧横穿至所述第二外框部的外侧；孔部，其设置在所述第二面侧，内部填充所述树脂层，不贯通所述金属板。本专利技术的第四方式是根据第三方式记载的引线框基板，其特征在于，所述孔部的表面已粗糙化。专利技术效果若采用本专利技术，则可以在引线框基板的内面的全面以阵列状配置用于连接印刷引线基板的外部连接端子，并能够对应半导体元件的多端子化。此外，因为基板以引线框为特征，而不使用电镀引线，所以能够确保对于热应力的可靠性。另一方面，在制造引线框基板时，不发生引线的折断或弯曲等不良现象，在半导体封装件组装工序进行的引线接合时，在引线接合连接端子的下部的预成型树脂层与外部连接端子表面平齐，由此可以稳定地连接。附图说明图IA是示出了基于本专利技术的实施方式的引线框基板的制造方法的一个例子的剖面图。图IB是示出了基于本专利技术的实施方式的引线框基板的制造方法的一个例子，即图IA的下一个工序的剖面图。图IC是示出了基于本专利技术的实施方式的引线框基板的制造方法的一个例子，即图IB的下一个工序的剖面图。图ID是示出了基于本专利技术的实施方式的引线框基板的制造方法的一个例子，即图IC的下一个工序的剖面图。图IE是示出了基于本专利技术的实施方式的引线框基板的制造方法的一个例子，即图ID的下一个工序的剖面图。图IF是示出了基于本专利技术的实施方式的引线框基板的制造方法的一个例子，即图IE的下一个工序的剖面图。图本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种引线框基板的制造方法，其特征在于：在金属板的第一面上形成光致抗蚀图案，形成在所述第一面上的光致抗蚀图案用于分别形成用于搭载半导体元件的半导体元件搭载部、用于与所述半导体元件的电极连接的半导体元件电极连接端子、第一外框部；在所述金属板的第二面上形成光致抗蚀图案，形成在所述第二面上的光致抗蚀图案用于分别形成外部连接端子、第二外框部、在所述第二外框部的至少一部分上的沟部；在所述第二面的露出金属板的金属板露出部，通过蚀刻来形成不贯通所述金属板露出部的孔部、从所述第二外框部的内侧横穿至外侧的沟部；在所述孔部与所述沟部，通过平板冲压来加热、加压、涂敷预成型树脂，从而形成树脂层；通过蚀刻所述第一面，来形成所述半导体元件搭载部、与所述外部连接端子电连接的所述半导体元件电极连接端子、所述第一外框部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：塚本健人，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。