接触结构及半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及接触结构及半导体器件。要提高半导体器件中与各向异性导电膜接触的可靠性，有源矩阵基片上的连接端子(183)的端子部分(182)通过各向异性导电膜(195)电连接到FPC(191)。连接布线(183)在有源矩阵基片上源极/漏极布线的相同工艺中制造，并由金属膜和透明导电膜的叠层膜制成。在具有各向异性导电膜(195)的连接部分中，连接布线(183)的侧面由绝缘材料制成的保护膜(173)覆盖。因此可以避免金属膜被透明导电膜、绝缘底膜以及与之接触的保护膜(173)环绕的部分暴露到空气。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括在具有绝缘表面的基片上形成的由薄膜晶体管(下文称作TFT) 构成的电路加工的半导体器件，还涉及一种将由TFT构成的电路连接到另一基片的电路上的端子结构。具体地，本专利技术提供一种适合于具有像素部分并且驱动电路提供在相同基片上像素部分周边中的液晶显示器件、电致发光显示器件、以及安装有与以上显示器件成一体的电光器件的电子设备的技术。注意在本说明书中，半导体器件是指利用半导体特性工作的一般器件，不仅以上的液晶显示器件，而且以上与显示器件成一体的电子设备也归为半导体器件。
技术介绍
在通常为有源矩阵型液晶显示器件的电光器件中，现已开发了利用TFT构成开关元件和有源电路的技术。TFT由通过汽相生长在如玻璃基片等的基片上形成作为有源层的半导体膜形成。如硅或硅锗等由硅作为基本组成部分的材料适合于用做上述半导体膜。此外，根据硅半导体膜的制造方法可以得到非晶硅膜或通常如多晶硅膜等的晶体硅膜。使用非晶硅膜作为有源层的TFT由于非晶结构导致的电性能等基本上不能得到几cm7Vsec以上的电场效应迁移率。因此，尽管能够利用TFT作为开关元件(像素TFT)驱动在像素部分的每个像素中形成的液晶，但不可能形成TFT到作为进行图像显示的驱动电路的程度。为了提供进行图像显示的驱动电路，现在已使用了通过TAB(自动载带键合) 法或COG (玻板上芯片)法安装驱动器IC。另一方面，对于使用晶体硅作为有源层的TFT，可以得到高电场效应迁移率，以在相同的玻璃基片上形成各种功能电路。在驱动器电路中，除了像素TFT，电路基本上由η沟道TFT和ρ沟道TFT组成的CMOS电路形成，例如移位电阻器电路、电平转移电路、缓冲电路以及采样电路，可以制造在相同的基片上。为了降低成本和提高质量的目的，在有源矩阵型液晶显示器件中使用具有像素和形成在相同的基片上用于驱动像素的驱动电路的有源矩阵基片。在如上的有源矩阵基片中，为了向驱动电路提供电源和输入信号，在有源矩阵基片上形成连接到驱动电路的连接布线。采用安装有连接布线和FPC(柔性印刷电路)的结构。各向异性导电膜用于连接基片上的连接布线和FPC。图30示出了通过各向异性导电膜连接到FPC的连接布线的剖面结构。如图30所示，在有源矩阵基片中，在位于玻璃基片1表面上的绝缘膜2上形成连接布线3。FPC4包括由如聚酰亚胺等柔性材料制成的基片5，由铜等构成的多个布线6形成其上。在各向异性导电膜7中，导电隔离物8分散到由热或光固化的粘合剂9(树脂)内。 连接布线3通过导电隔离物8电连接到FPC4上的布线6。连接布线3是由如铝和钛等的金属膜3a以及如ITO膜等的透明导电膜北组成的两个多层结构。由于透明导电膜北使用了如铝等的金属膜，因而可以降低它的布线电阻。 因此，担心受导电隔离物(spacer)8按压造成金属膜3a变形。透明导电膜北由如铟和锡等的金属氧化物制成，由此它的硬度高于金属膜3a。因此，透明导电膜北形成在金属膜的表面上，防止导电膜3a受到损伤或变形。但是，金属膜3a的侧面处于未覆盖状态，暴露在空气中直到形成各向异性导电膜 7。金属膜3a的侧面处于容易受到腐蚀和氧化的状态，造成连接布线3和FPC4的连接可靠性降低。此外，在安装FPC4的状态中，金属膜3a的侧面接触树脂，产生防潮的问题。本专利技术是为解决以上提到的问题的，因此本专利技术的一个目的是在FPC和连接布线之间实现高可靠性连接，以提供适合于大规模生产的连接布线。
技术实现思路
为了解决以上问题，根据本专利技术的一个方案，提供一种接触结构，通过各向异性导电膜将基片上的连接布线连接到其它基片上的布线，特征在于引线为由金属膜和透明导电膜形成的叠层膜，在各向异性导电膜的连接部分中，金属膜的侧面由保护膜覆盖。此外，根据本专利技术的另一方案，提供一种在基片上的半导体器件，具有由薄膜晶体管构成的电路，以及将由薄膜晶体管构成的电路连接到其它电路的连接布线，特征在于连接布线为金属膜和透明导电膜的叠层膜，在与其它电路的连接部分中，金属膜的侧面由保护膜覆盖。此外，根据本专利技术的再一方案，提供一种半导体器件，包括具有由薄膜晶体管构成的电路的第一基片，以及与第一基片相对的第二基片，特征在于由金属膜和接触金属膜表面的透明导电膜形成的连接布线和接触金属膜侧面的保护膜形成在第一基片上，所述连接布线将由薄膜晶体管构成的电路连接到另一电路。此外，根据本专利技术的又一方案，提供一种半导体器件，包括具有由薄膜晶体管构成的电路的第一基片，以及与第一基片相对的第二基片，特征在于由金属膜和接触金属膜表面的透明导电膜形成的连接布线，形成在薄膜晶体管上的保持第一基片和第二基片之间间距的柱形隔离物，由与柱形隔离物相同材料构成的接触金属膜侧面的保护膜形成在第一基片上，所述连接布线将由薄膜晶体管构成的电路连接到另一电路。附图说明在附图中图IA和IB示出了介绍有源矩阵基片结构的俯视图；图2为介绍液晶显示器件的电路结构的方框图；图3A到3D示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图4A到4D示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图5A到5C示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图6A到6B示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图7示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图8示出了液晶板的剖面图9A到9C示出了连接布线的端子部分的制造工艺的剖面图；图IOA到IOC示出了连接布线的端子部分的制造工艺的剖面图；图IlA到IlC示出了连接布线的端子部分的制造工艺的剖面图；图12A和12B示出了连接布线的端子部分和各向异性导电膜的接触结构的剖面图；图13示出了像素部分的一个像素的俯视图；图14介绍了柱形隔离物的形状；图15A到15F示出了连接布线的端子部分的制造工艺的剖面图；图16示出了连接布线的端子部分和各向异性导电膜的接触结构的剖面图；图17A到17C示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图18A到18C示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图19A到19C示出了有源矩阵基片的制造工艺的剖面图；图20示出了液晶板的剖面图；图21A到21F示出了连接布线的端子部分的制造工艺的剖面图；图22示出了半导体器件的一个例子；图23A到23F示出了半导体器件的多个例子；图24A到MD示出了投影型液晶显示器件的结构；图25示出了 ICP腐蚀装置的等离子体产生机构；图沈示出了使用多螺旋线圈法的ICP腐蚀装置；图27示出了锥角θ与偏置功率的关系图；图28示出了锥角θ与CF4流速的比值的关系图；图四示出了锥角θ与钨对抗蚀剂(W/抗蚀剂)的选择率的关系图；以及图30示出了常规的有源矩阵基片的端部和各向异性导电膜的接触结构。具体实施例方式下面介绍本专利技术的各种实施方式。实施方式1根据本专利技术的接触结构适合于使用通过各向异性导电膜连接电路的安装法的半导体器件，例如有源矩阵型液晶显示器件或EL显示器件。参考图12Α和12Β，在实施方式1 中介绍应用到有源矩阵型液晶显示器件时本专利技术的接触结构。有源矩阵基片上的连接布线183通过端子部分182中的各向异性导电膜195电连接到FPC191。在形成有源矩阵基片上的TFT的源/漏布线的相同工艺中形成连接布线183。 换句话说，连接布线183由与源/漏布线相同的材料形成并形成在与源/漏布线相同的层中。连接布线183为金属膜140和本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种显示器件，包括：基片；在所述基片上的端子部分中的连接布线；在所述连接布线上的保护膜，该保护膜具有树脂；以及各向异性导电膜，该各向异性导电膜将所述连接布线电连接到外部电源，其中，所述保护膜覆盖所述连接布线的侧面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP