用于有机ＥＬ显示器的反射阳极电极及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于有机ＥＬ显示器的反射阳极电极，其具备的Ａｌ合金反射膜能够实现与氧化物导电膜的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率。本发明专利技术的用于有机ＥＬ显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有０．１～２原子％Ｎｉ或Ｃｏ的Ａｌ合金膜，在真空或惰性气体气氛下，以１５０℃以上的温度对所述Ａｌ合金膜实施热处理，接着，以与所述Ａｌ合金膜直接接触的方式形成氧化物导电膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在有机EL显示器(特别是顶部发射型)中使用的反射阳极电极及其制造方法。
技术介绍
作为自发光型平板显示器之一的有机电致发光(以下有时记为“有机EL”)显示器，是在玻璃板等基板上以矩阵状排列有机EL元件而形成的全固体型的平板显示器。在有机EL显示器中，阳极(anode)和阴极(cathode)形成条纹状，它们彼此交叉的部分相当于像素(有机EL元件)。从外部对该有机EL元件施加数V的电压，流过电流，由此提升有机分子为激励状态，当其向原来的基态(稳定状态)恢复时，其多余的能量以光的形式释放。 该发光颜色是有机材料所固有的。有机EL元件是自己发光型及电流驱动型的元件，其驱动型有无源矩阵型和有源矩阵型。无源矩阵型结构简单，不过很难全色化。另一方面，有源矩阵型能够大型化，也适于全色化，却需要TFT基板。该TFT基板使用低温多结晶Si (p-Si)或非晶形Si (a-Si)等的 TFT。采用有源矩阵型的有机EL显示器时，多个TFT、布线等形成阻碍，使能够用于有机 EL像素的面积变小。若驱动电路变得复杂，TFT增加，则其影响变大。近年来，通过形成为不是从玻璃基板取出光而是从上面侧取出光的结构(顶部发射方式)来改善数值孔径的方法倍受瞩目。在顶部发射方式中，下面的阳极使用的是空穴注入性优异的氧化铟锡(ΙΤ0 Indium Tin Oxide)。另外，上面的阴极也需要使用透明导电膜，但ITO的功函数大，不适于电子注入。再有，ITO是用喷溅法、离子束蒸镀法等成膜的，从而，成膜时的等离子体离子、 二次电子会导致电子输送层(构成有机EL元件的有机材料)受损。为此，通过在电子输送层上形成薄的Mg层、铜酞菁层等，来改善电子注入和避免损伤。在这种有源矩阵型的顶部发射有机EL显示器中使用的阳极电极，兼有对有机EL 元件放射的光进行反射的目的，形成以ΙΤ0、氧化铟锌(ΙΖ0 =Indium Zinc Oxide)等为代表的透明氧化物导电膜和反射膜的层叠结构(反射阳极电极)。在该反射阳极电极中使用的反射膜多为钼、铬、铝、银等反射性金属膜。如果只考虑反射率，银是反射膜的理想材料。可是，从与薄型电子显示装置的制作工艺的亲和性、材料成本等观点而言，使用银有很多实用上的课题。另一方面，如果只考虑反射率，铝作为反射膜也很好。例如专利文献1中，作为反射膜公开了 Al膜或Al-Nd膜，记载了 Al-Nd膜的反射率效率优异而作为优选这样的宗旨。可是，铝反射膜在与ΙΤ0、IZO等的氧化物导电膜直接接触时，接触电阻高，无法供给向有机EL元件进行空穴注入的足够电流。为了避免这一点，在反射膜中不采用铝，而是采用钼、铬，或在铝反射膜和氧化物导电膜之间设置钼、铬等作为阻挡金属时，反射率大幅度劣化，作为显示器特性的发光亮度降低。于是，在专利文献2中公开有含有0. 1 2原子％Ni的Al-Ni合金膜，作为能够省略阻挡金属的反射电极(反射膜)。专利文献1 日本国特开2005-259695号公报专利文献2 日本国特开2008-122941号公报
技术实现思路
有机EL显示器被要求进一步提高反射阳极电极的反射率。本专利技术要达到的目的是，提供一种具备Al合金反射膜的用于有机EL显示器的反射阳极电极，这种Al合金反射膜实现了与ITO、IZO等的氧化物导电膜接触时的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率 (与纯Al同等或为其以上的反射率)。可以实现上述目的的、本专利技术的用于有机EL显示器的反射阳极电极的制造方法， 其特征在于，使含有0. 1 2原子％ Ni或Co的Al合金膜在基板上成膜，在真空或惰性气体气氛下，以150°C以上的温度对上述Al合金膜进行热处理，使氧化物导电膜以与上述Al 合金膜直接接触的方式成膜。上述反射阳极电极的制造方法，推荐的是在Al合金膜在150°C以上被实施了热处理后且在氧化物导电膜成膜前，对Al合金膜实施碱溶液处理。另外，本专利技术的用于有机EL显示器的反射阳极电极，其特征在于，氧化物导电膜在Al合金膜上按照与所述Al合金膜直接接触的方式成膜，所述Al合金膜含有0. 1 2原子％的M或Co，在所述Al合金膜成膜后且所述氧化物导电膜成膜前，在真空或惰性气体气氛下，以150°C以上的温度对所述Al合金膜实施热处理。所述Al合金膜优选还含有下述元素。(1)从 La、Ge、Cu、Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pt、Pd、Ir、Ce、Pr、Gd、Tb、Dy、Nd、Ti、Zr、Nb、 10、肚、1^、1、丫46、5111丄11、!10 31~、11111、￥13及1^组成的组中选择的至少1种元素总计0. 1 2原子％。(2) Ge和Cu中的至少一种和La总计0. 1 2原子％。还有，上述(1)中，Nd优选含有0. 1 1原子％，更优选除了 Nd以夕卜，还含有0. 1 1原子％的Ge。另外，上述(1)中，更优选含有Ni及La。优选所述氧化物导电膜的与所述Al合金膜接触侧的相反侧的表面算术平均粗糙度Ra为aim以下。优选在与所述氧化物导电膜直接接触的所述Al合金膜的界面形成含有M或Co 的析出物或浓化层。本专利技术提供具有上述用于有机EL显示器的反射阳极电极的薄膜晶体管基板、具备该薄膜晶体管基板的有机EL显示器、用于形成上述反射阳极电极的溅射靶。根据本专利技术，作为反射膜的Al合金膜含有M或Co，从而能够实现与氧化物导电膜时的低接触电阻。还有，在层叠氧化物导电膜之前，对Al合金膜实施热处理，从而能够实现优异的反射率。如果采用本专利技术的反射阳极电极，由于是低接触电阻，能够有效对有机发光层进行空穴注入，还能够用反射膜高效反射从有机发光层放射的光，因此，能够实现发光亮度特性优异的有机EL显示器。附图说明图1是表示具备本专利技术的反射阳极电极的有机EL显示器的简图。图2是表示以没有实施预退火的纯Al膜作为反射膜的反射阳极电极的反射率和以在250°C下实施预退火的纯Al膜作为反射膜的反射阳极电极的反射率的曲线图。还有， 点划线表示没有实施预退火的反射率，实线表示实施了预退火的反射率。图3是表示以没有实施预退火的A1-2原子％ Ni-O. 35原子％ La合金膜作为反射膜的反射阳极电极的反射率和以在250°C下实施了预退火的A1-2原子％ Ni-O. 35原子％ La合金膜作为反射膜的反射阳极电极的反射率的曲线图。还有，点划线表示没有实施预退火的反射率，实线表示实施了预退火的反射率。图4是表示用实施例1制作的反射阳极电极ITO膜的表面粗糙度的AFM像，(a)是测量区域为ΙΟμπιΧΙΟμπι的AFM像，(b)是测量区域为2. 5 μ mX 2. 5 μ m的AFM像。(反射膜Α1-2原子％ Ni-O. 35原子％ La合金膜，无预退火)图5是表示用实施例1制作的反射阳极电极ITO膜的表面粗糙度的AFM像，(a)是测量区域为ΙΟμπιΧΙΟμπι的AFM像，(b)是测量区域为2. 5 μ mX 2. 5 μ m的AFM像。(反射膜Α1-2原子％ Ni-O. 35原子％ La合金膜，有预退火)图6是表示用实施例1制作的反射阳极电极ITO膜的表面粗糙度的AFM像，(a)是测量区域为ΙΟμπιΧΙΟμπι的AFM像，(b)是测量区域为2. 5 μ mX 2. 5 μ m的AFM像。(反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于有机ＥＬ显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上使含有０．１～２原子％Ｎｉ或Ｃｏ的Ａｌ合金膜成膜，在真空或惰性气体气氛下、以１５０℃以上的温度对所述Ａｌ合金膜实施热处理，使氧化物导电膜按照与所述Ａｌ合金膜直接接触的方式成膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：越智元隆，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：JP