电介质薄膜电容器的制造方法以及电介质薄膜电容器技术

一种电介质薄膜电容器的制造方法，上述电介质薄膜电容器在导电性基板（１）的一个主面上形成有上部外部电极（１５），在上述导电性基板（１）的另一个主面上形成有下部外部电极（１７）。上述制造方法具有将在电介质层（６）的上下两面形成有第１以及第２电极层（５、７）的电容器部（４）形成在导电性基板（１）的一个主面上的电容器部形成工序和形成将第１电极层（５）与导电性基板（１）电连接的基板配线（１１）的配线形成工序，在上述电容器形成工序与上述配线形成工序之间包括对上述电容器部（４）进行热处理的热处理工序。由此实现不损失可靠性就能够抑制ＥＳＲ的增加的电介质薄膜电容器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电介质薄膜电容器的制造方法以及电介质薄膜电容器，更为详细地涉 及在导电性基板的主面的两侧形成有外部电极的电介质薄膜电容器的制造方法以及使用 该制造方法制作出的电介质薄膜电容器。
技术介绍
从以往开始，在这种电介质薄膜电容器中，钛酸钡等具有钙钛矿构造的氧化物多 用于电容器的电介质部分。例如，在专利文献1中，提出了如下薄膜电容(电介质薄膜电容器)如图12所示， 将低电阻的硅基板101的一个面与导电性覆膜102欧姆接触，在另一个面中，按照中间隔着 防止该第1金属电极103与上述硅基板101发生共晶的规定图案的防共晶膜104，并且该第 1金属电极103的一部分与上述硅基板101连接的方式来被覆形成与钛酸系的绝缘物具有 大致相等的晶格常数的第1金属电极103，在该第1金属电极103上被覆形成钛酸系的绝缘 膜105，并且在该绝缘膜105上被覆形成第2金属电极106。第1金属电极103以及第2金属电极106均由Cr层103a和106a、Pt层103b和 106b以及Au层103c和106c这三层构造构成，绝缘膜105与电容器的电介质部分相当。在该专利文献1中，第1金属电极103是其本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电介质薄膜电容器的制造方法，所述电介质薄膜电容器在导电性基板的一个主面侧形成有至少一个第１外部电极，在上述导电性基板的另一个主面侧形成有第２外部电极，上述电介质薄膜电容器的制造方法的特征在于：具有：电容器部形成工序，将具有在电介质层的上下两面形成有电极层的至少一个以上的电容产生部的电容器部形成在上述导电性基板的上述一个主面上；和配线形成工序，形成将上述电极层中的要成为一个极的电极层与上述导电性基板电连接的基板配线，在上述电容器形成工序与上述配线形成工序之间包括对上述电容器部进行热处理的热处理工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村雅信，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP