提供新的一类含有氮杂二苯并噻吩或氮杂二苯并呋喃的化合物。这些化合物可以用于有机发光器件中，得到改善的稳定性、改善的效率、长的寿命和低的操作电压。特别是，这些化合物可以用作具有主体和发光掺杂剂的发光层的主体材料，或者作为增强层中的材料。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有氮杂-二苯并噻吩或氮杂-二苯并呋喃的新的有机络合物。该材料可以用于有机发光器件(OLEDs)中。
技术介绍
由于很多原因，利用有机材料的光电器件变得越来越受欢迎。用于制备这样的器件的很多材料比较廉价，因此有机光电器件在相对于无机器件的成本优势方面具有潜力。 此外，有机材料的固有特性，例如它们的柔性，可以使得它们良好地适用于特定应用，例如在柔性基片上制造。有机光电器件的实例包括有机发光器件(OLEDs)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电探测器。对于OLEDs，有机材料可以具有优于常规材料的性能。例如，有机发光层发射的波长通常可以容易地用合适的掺杂剂进行调整。OLEDs利用当跨器件施加电压时发光的有机薄膜。OLEDs正在成为在诸如平板显示、照明和背光的应用中越来越有利的技术。多种OLED材料和构造记载于美国专利 No. 5，844，363,6, 303，238和5，707，745中，它们全部通过引用纳入本文。发磷光分子的一种应用是全色显示器。这样的显示器的工业标准要求适于发射称为“饱和”色彩的特定色彩的像素。特别是，这些标准要求饱和的红、绿和蓝色像素。色彩可以使用CIE坐标度量，它是现有技术中公知的。发绿光分子的一个实例是三(2-苯基吡啶)铱，它记为Ir(ppy)3，具有以下结构权利要求1.用于制备氮杂-二苯并噻吩化合物或氮杂-二苯并呋喃化合物的方法，该方法包括用^uONO处理具有式2.权利要求1的方法，其中Y为S。3.权利要求1的方法，其中Y为0。4.权利要求1的方法，其中&为氮并且)(2为碳。5.权利要求1的方法，其中&为碳并且)(2为氮。6.权利要求1的方法，其中队为卤素。7.权利要求1的方法，其中&包括至少一个卤素。8.权利要求1的方法，其中&仅包括卤素取代基。9.权利要求1的方法，其中&不是卤素，并且在用tBuONO处理之前将氨基-芳基硫代吡啶中间体用H2SO4处理。10.权利要求1的方法，其中/^V^l的产率大于50%。11.下式的化合物 其中Xi、X2、X3、X4、X5、X6、X7和\独立地选自碳原子和氮原子； 其中Xi、X2> X3> X4> X5> X6> X7和\的至少之一为氮原子； 其中Y为S或0;其中R1和&可以表示单取代、二取代、三取代或四取代； 其中R1和&独立地选自氢、烷基、芳基和卤素；并且其中R1和&的至少之一选自12.权利要求11的化合物，其中该化合物具有下式13.权利要求11的化合物，其中m和η为0、1、2、3或4；并且其中m+n等于或大于2并且m+n等于或小于6。14.权利要求11的化合物，其中R1和&之一选自15.权利要求11的化合物，其中R’i、R’ 2、R’ 3和1 ’ 4各自独立地为氢或甲基。16.权利要求11的化合物，其中该化合物选自17.权利要求11的化合物，其中该化合物选自18.权利要求11的化合物，其中R1和R2的至少之一选自19.权利要求18的化合物，其中R’ρ R’ 2、R’ 3和R’ 4各自独立地为氢或甲基。20.权利要求18的化合物，其中该化合物选自21.权利要求11的化合物，其中礼和&各自独立地选自氢和22.权利要求21的化合物，其中R’pR’ 2、R’ 3和1 ’ 4各自独立地为氢或甲基。23.权利要求21的化合物，其中该化合物选自24.权利要求11的化合物，其中R1和R2至少之一选自25.权利要求24的化合物，其中R'1、R'2、R'3和R'4各自独立地为氢或甲基.26.权利要求25的化合物，其中该化合物选自27.权利要求11的化合物，其中礼和も各自独立地选自氢和28.权利要求27的化合物，其中R’1，R'2、R’3和R’ 4各自独立地为氢或甲基。29.权利要求27的化合物，其中该化合物选自30.权利要求11的化合物，其中氏和民各自独立地选自氢和31.权利要求31的化合物，其中R’i、R’ 2、R’ 3和1 ’ 4各自独立地为氢或甲基。32.权利要求31的化合物，其中该化合物选自33.权利要求31的化合物，其中该化合物选自34.权利要求11的化合物，其中R1选自35.权利要求34的化合物，其中R’ρ R’ 2、R’ 3和R’ 4各自独立地为氢或甲基。36.权利要求34的化合物，其中该化合物选自37.权利要求34的化合物，其中该化合物选自38.第一器件，其包含有机发光器件，该有机发光器件进一步包含阳极；阴极；位于阳极和阴极之间的有机层，该有机层进一步包含具有下式的化合物39.权利要求38的器件，其中该第一器件是消费产品。40.权利要求38的器件，其包含 阳极；阴极；位于阳极和阴极之间的有机层，该有机层进一步包含具有下式的化合物41.权利要求38的器件，其中m和η为0、1、2、3或4；并且m+n等于或大于2并且m+n 等于或小于6。42.权利要求38的器件，其中R1和&的至少之一选自43.权利要求38的器件，其中R1和&各自独立地选自氢和44.权利要求38的器件，其中该化合物选自45.权利要求38的器件，其中有机层是发光层，并且具有式46.权利要求38的器件，其中该有机层进一步包含发光掺杂剂。47.权利要求46的器件，其中该发光掺杂剂具有下式全文摘要提供新的一类含有氮杂二苯并噻吩或氮杂二苯并呋喃的化合物。这些化合物可以用于有机发光器件中，得到改善的稳定性、改善的效率、长的寿命和低的操作电压。特别是，这些化合物可以用作具有主体和发光掺杂剂的发光层的主体材料，或者作为增强层中的材料。文档编号C07D495/04GK102341401SQ201080009980 公开日2012年2月1日 申请日期2010年1月15日 优先权日2009年1月16日专利技术者B·佳特金, C·林, R·孔, W·勇刚, Z·M·埃尔什那威, 马斌 申请人:通用显示公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．用于制备氮杂－二苯并噻吩化合物或氮杂－二苯并呋喃化合物的方法，该方法包括：用ｔＢｕＯＮＯ处理具有式的氨基－芳基硫代吡啶中间体的乙酸溶液，其中Ｘ１和Ｘ２之一为氮并且Ｘ１和Ｘ２中的另一个为碳并且其中Ｙ为Ｓ或Ｏ，以产生具有式的氮杂络合物；其中Ｒ１和Ｒ２可以表示单取代、二取代、三取代或四取代；其中Ｒ１选自氢、烷基、芳基、杂芳基和卤素；并且其中Ｒ２选自氢、烷基、芳基和卤素。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·林，
申请(专利权)人：通用显示公司，
类型：发明
国别省市：US
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