复位电路以及具备该复位电路的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种复位电路以及具备该复位电路的装置，所述复位电路即使电源电压为极低电压状态也能够防止复位被解除。复位电路具备：作为N沟道MOSFET的晶体管(N0)；根据电源电压(VDD)超过应该解除复位的预定的阈值(Vth)而将晶体管(N0)从导通变为截止，由此将晶体管(N0)的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平的栅极驱动电路(A1)，其中，具备吸收电路(A2)，其通过吸收流过晶体管(N0)的漏极侧的电流(I)，将晶体管(N0)的漏极电压维持为低电平；以及切断电路(A3)，其当电源电压(VDD)超过阈值(Vth)时切断由吸收电路(A2)吸收电流(I)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复位电路，该复位电路具备N沟道MOSFET和栅极驱动电路，该栅极驱动电路根据电源电压超过应该解除复位的预定的阈值而将所述N沟道MOSFET从导通变为截止，由此将所述N沟道MOSFET的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平。
技术介绍
作为现有技术，已知当检测出电源电压超过预定阈值后上升时解除复位信号的上电复位(Power-on-reset)电路。图1是上电复位电路的一例、即漏极开路输出(open-drain output)的复位电路1的结构图。在图1的复位电路1的情况下，当电源电压VDD通过电阻Rl和R2、R3而得的分压电压Vc比基准电压Vref低时，比较器Cl将高电平的栅极驱动信号VG作为输出信号来输出。因此，复位电路1通过高电平的栅极驱动信号VG使晶体管 NO导通(ON)，因此使输出端子13的电压电平POR成为低电平。反之，当分压电压Vc比基准电压Vref高时，比较器Cl将低电平的栅极驱动信号VG作为输出信号来输出。因此，复位电路1通过低电平的栅极驱动信号VG使晶体管NO截止(OFF)，从而使输出端子13的电压电平POR成为高电平。S卩，在图1的电路的情况下，当电源电压VDD的电压状态为应该对未图示的外部装置实施复位的低电压状态时，电压电平POR变为低电平，当电源电压VDD的电压状态为能够解除外部装置的复位的正常电压状态时，电压电平POR变为高电平。此外，作为与复位电路相关的现有技术文献，已知例如专利文献1。在图1的电路的情况下，在电源电压VDD为比零V稍大的极低电压状态下，以电源电压VDD作为工作电源电压的比较器Cl无法输出可以使晶体管NO导通的程度的栅极电压。因此，晶体管NO无法吸收电流，结果，输出端子13的电压电平POR变为高电平。然而，微型计算机等的控制电路的工作电压的低电压化近年来取得了进展，因此， 即使电源电压VDD为极低电压状态，当电压电平POR变为高电平时，尽管不是应该解除复位的电源电压，这种控制电路也有可能识别为解除了复位。在这方面，即使电源电压VDD为极低电压状态也能够使输出端子的电压成为低电平的专利文献1的专利技术是以CMOS输出的情况为对象，因此，在图1的电路那样的漏极开路输出的情况下无法直接应用。专利文献日本特开2001-141761号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供即使电源电压为极低电压状态，也能够防止复位被解除的复位电路以及具备该复位电路的装置。为了达成上述目的，本专利技术的复位电路具备N沟道MOSFET和栅极驱动电路，该栅极驱动电路根据电源电压超过应该解除复位的预定的阈值而将所述N沟道MOSFET从导通变为截止，由此，将所述N沟道MOSFET的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平，其中，具备吸收电路，其吸收流过所述N沟道MOSFET的漏极侧的电流，由此将所述漏极电压维持为低电平；以及切断电路，其当所述电源电压超过所述阈值时，切断由所述吸收电路吸收所述电流。 根据本专利技术，即使电源电压为极低电压状态，也能够防止复位被解除。 附图说明图1是现有的复位电路1的结构图。图2是作为本专利技术的一个实施方式的控制装置100的结构图。图3是具备复位电路4的控制装置200的结构图。图4是总结了电源电压VDD的电压状态、晶体管NO、Pl、m的导通/截止状态和电压电平POR的高/低状态的关系的图。图5是图1的复位电路1中的电源电压VDD和电压电平POR的关系图。图6是图3的复位电路4中的电源电压VDD和电压电平POR的关系图。图7是具备复位电路5的控制装置300的结构图。符号说明1、2、4复位电路3控制电路Al栅极驱动电路A2吸收电路A3切断电路Cl比较器Nl耗尽型N沟道MOSFETMl负电源100、200、300 控制装置具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。图2是作为本专利技术的一个实施方式的控制装置100的结构图。控制装置100是具备复位电路2和控制电路3的系统电路。例如， 复位电路2和控制电路3是系统芯片(system on chip S0C)的集成电路。复位电路2对控制电路3的复位以及复位解除进行控制。作为控制电路3的具体例子，例如中央运算处理装置(CPU)，作为控制装置100的具体例子，例如将控制电路3作为CPU来内置的微型计算机。复位电路2具有以下功能当电源电压VDD的电压状态为应该对控制电路3等周边电路实施复位的低电压状态时，将电压电平POR维持为低电平，当电源电压VDD的电压状态为能够解除控制电路3等周边电路的复位的正常电压状态时，将电压电平POR维持为高电平。 通过未图示的稳压器等电压控制电路来控制电源电压VDD，使其与预先设定的目标电压一致。在电源电压VDD的上升时，以比电源电压VDD的目标电压稍低的电压，复位电路2的输出端子13的电压电平POR从低电平切换为高电平，由此，从复位模式转移到复位解除模式。另外，在电源电压VDD的下降时也同样，以比电源电压VDD的目标电压稍低的电压，电压电平POR从高电平切换为低电平，由此，从复位解除模式转移到复位模式。复位电路2具备晶体管NO、栅极驱动电路Al、吸收(sink)电路A2和切断电路A3。晶体管NO是增强型MOS电场效应晶体管(FET)。晶体管NO是以漏极开路输出来构成复位电路2的输出部的源极接地电路。在与晶体管NO的漏极连接的输出端子13和电源电压VDD的电源端子11之间插入在复位电路2上外接的电阻R4。电阻R4被插入晶体管NO的漏极和电源电压VDD之间即可，因此可以内置在控制电路3中，也可以内置在复位电路2中。栅极驱动电路Al根据电源电压VDD超过应该解除复位的预定的阈值Vth而将晶体管NO从导通变为截止，由此，将输出端子13(即晶体管NO的漏极电压)的电压电平POR 从表示复位状态的低电平切换到表示复位解除状态的高电平。栅极驱动电路Al通过将低电平的栅极驱动信号VG输出到晶体管NO的栅极来将晶体管NO截止，通过将高电平的栅极驱动信号VG输出到晶体管NO的栅极来将晶体管NO导通。栅极驱动电路Al是以电源电压 VDD作为工作电源电压的电路。栅极驱动电路Al例如具有以电源电压VDD作为工作电源电压的比较器Cl。比较器Cl作为用于比较电源电压VDD和阈值Vth的电路，根据其比较结果将栅极驱动信号VG 的电压电平切换为高电平或低电平。吸收电路A2吸收流过晶体管NO的漏极侧的输出端子13的电流I，由此将晶体管 NO的漏极电压的电压电平POR维持为低电平。电流I经由电阻R4流入吸收电路A2。当电源电压VDD超过了阈值Vth时，切断电路A3切断由吸收电路A2吸收电流I， 由此对吸收电路A2将电压电平POR维持为低电平进行解除。此外，复位电路2的电源端子11与控制电路3的电源端子16连接，复位电路2的输出端子13与控制电路3的复位输入端子18连接，复位电路2的接地端子12与控制电路 3的接地端子17连接。因此，根据具备这种结构的复位电路2，即使由于电源电压VDD为极低电压状态而使晶体管NO截止，也通过吸收电路A2将晶体管NO的漏极电压的电压电平POR强制地维持为低电平，因此可以防止电压电平POR变为高电平。其结果，可以防止尽管不是应该解除复位的电源电压，控本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种复位电路，具备Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ和栅极驱动电路，该栅极驱动电路根据电源电压超过应该解除复位的预定的阈值而将所述Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ从导通变为截止，由此，将所述Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平，所述复位电路的特征在于，具备：吸收电路，其吸收流过所述Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ的漏极侧的电流，由此将所述漏极电压维持为低电平；以及切断电路，其当所述电源电压超过所述阈值时，切断由所述吸收电路吸收所述电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平井胜，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP