【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。本专利技术特别涉及具有电熔断器的半导体器件和该半导体器件的驱动方法。
技术介绍
电熔断器是用于调整半导体器件的电子电路的重要电子元件。JP-A-8_335674(专利文献1)披露了采用电熔断器调整半导体器件的方法。例如，采用电熔断器调整半导体器件的方法已经被用来例如弥补半导体存储器件的缺陷等。例如，通过以矩阵的形式布置多个标准的半导体存储单元制造标准的存储单元阵列，并且通过布置多个备用存储单元制造用于弥补的备用存储单元阵列。当标准的存储单元阵列中的任意存储单元存在缺陷时，就将该有缺陷的存储单元切换到备用存储单元。在获得半导体存储器件的高成品率上，上述方法是有效的。除了包括如上所述的将有缺陷的存储单元切换到备用存储单元的步骤的修复技术之外，电熔断器被广泛地使用在涉及形成半导体器件的电子电路中的电连接的切换的应用中。近年来，逻辑电路和CMOS图像传感器朝着高功能化和多功能化发展的趋势导致了对更大容量的电熔断器的需求。使用增大了容量的电熔断器增大了使用该电熔断器的半导体芯片的尺寸，并因此导致了半导体芯片的成本的增加。例如，具有由多晶硅层和高熔点金属硅化...
【技术保护点】
１．一种半导体器件，其包括电熔断器元件，所述电熔断器元件包括：第一细丝；第二细丝，所述第二细丝与所述第一细丝相连接；以及串联读出部，所述串联读出部连接着所述第一细丝的一端，所述第一细丝的所述一端与所述第一细丝的连接着所述第二细丝的另一端相反，所述串联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的串联电阻。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：神田泰夫，甘利浩一，时任俊作，鸟毛裕二，有马孝之，国广恭史，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP
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