一种真空吸笔制造技术

技术编号:7089792 阅读:251 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种真空吸笔,具有吸盘和笔杆,所述吸盘与笔杆内腔联通,所述笔杆上有一控制孔,所述控制孔与笔杆内腔联通。本实用新型专利技术减少了对硅片的污染和损伤,可以使吸附力在硅片吸附面上均匀分布,不会在局部形成吸痕或者形成鼓包,降低了破片率;吸盘上具有一个凹陷,所述凹陷与所述吸盘表面具有高度差,可以形成透气的缝隙;吸盘表面上贴有贴膜,可以减少对硅片的污染和损伤。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅片制造领域,特别涉及一种真空吸笔
技术介绍
随着经济建设的快速发展,微电子技术得到了迅猛地发展,在硅片制造业中,最注重的就是产品合格率,在生产、搬运、包装的过程中,最为常见的情况还是用手直接接触产品。针对细小、脆弱和精密的硅片,直接用手接触产品,手上的汗渍、污渍容易造成硅片表面污染,产品表面的绒面结构容易被破坏,影响其性能。现有技术中的石英吸笔,使用上不方便,并且易造成产品表面划伤、磨损。如何尽量减少硅片的污染和损耗,是厂家最关注的问题。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种减少硅片的污染和损耗的真空吸笔。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种真空吸笔,具有吸盘和笔杆,所述吸盘与笔杆内腔联通,所述笔杆上有一控制孔,所述控制孔与笔杆内腔联通。上述技术方案所述吸盘上具有一个凹陷,所述凹陷与所述吸盘表面具有高度差。上述技术方案所述吸盘表面上贴有贴膜。本技术的有益效果(1)本技术所述吸盘表面上贴有贴膜,可以减少对硅片的污染和损伤。(2)本技术所述吸盘上具有一个凹陷,所述凹陷与所述吸盘表面具有高度差, 可以形成透气的缝隙。(3)本技术可以使吸附力在硅片吸附面上均勻分布,不会在局部形成吸痕或者形成鼓包,降低了破片率。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是图1的侧视图。图中1.吸盘,11.凹陷,12.贴膜,2.笔杆,21.控制孔。具体实施方式下面将结合附图对本技术进行进一步描述。如图1-2所示的一种真空吸笔,具有吸盘1和笔杆2,吸盘1与笔杆2内腔联通,笔杆2上有一控制孔21,控制孔21与笔杆2内腔联通,吸盘1上具有一个凹陷11,凹陷11与吸盘1表面具有高度差,在吸盘1表面上还贴有贴膜12。3操作时,用手指堵住控制孔21,将吸盘1靠近硅片的侧面,即可将硅片吸取并移至目标位置,然后松开堵住控制孔21的手指,硅片由于自身重力,可从吸盘1上松开,放置到目标位置。应当理解,以上所描述的具体实施例仅用于解释本技术,并不用于限定本技术。由本技术的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之中。权利要求1.一种真空吸笔,其特征在于具有吸盘(1)和笔杆O),所述吸盘(1)与笔杆O)内腔联通,所述笔杆( 上有一控制孔(21),所述控制孔(21)与笔杆O)内腔联通。2.根据权利要求1所述的真空吸笔,其特征在于所述吸盘(1)上具有一个凹陷(11), 所述凹陷(11)与所述吸盘(1)表面具有高度差。3.根据权利要求1所述的真空吸笔,其特征在于所述吸盘(1)表面上贴有贴膜(12)。专利摘要一种真空吸笔,具有吸盘和笔杆,所述吸盘与笔杆内腔联通,所述笔杆上有一控制孔,所述控制孔与笔杆内腔联通。本技术减少了对硅片的污染和损伤,可以使吸附力在硅片吸附面上均匀分布,不会在局部形成吸痕或者形成鼓包,降低了破片率;吸盘上具有一个凹陷,所述凹陷与所述吸盘表面具有高度差,可以形成透气的缝隙;吸盘表面上贴有贴膜,可以减少对硅片的污染和损伤。文档编号F16B47/00GK202132365SQ201120232549公开日2012年2月1日 申请日期2011年7月4日 优先权日2011年7月4日专利技术者李晓华, 王平, 黄钦 申请人:常州盛世电子技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空吸笔,其特征在于:具有吸盘(1)和笔杆(2),所述吸盘(1)与笔杆(2)内腔联通,所述笔杆(2)上有一控制孔(21),所述控制孔(21)与笔杆(2)内腔联通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄钦王平李晓华
申请(专利权)人:常州盛世电子技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:32

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