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抗雷击漏电检测保护电路制造技术

技术编号:7083686 阅读:282 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种同时还能防止电磁干扰引起误动作的抗雷击漏电检测保护电路,包括主回路开关、复位按钮、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅、用于检测漏电流的感应线圈、用于检测低电阻故障的自感应线圈以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片,还包括一个与复位按钮联动的模拟供电开关;该漏电检测保护电路包括至少其中之一有一放电尖端或放电弧面的两放电金属片;两放电金属片之间连接有LC滤波网络。本发明专利技术的有益效果主要表现在:在漏电流产生时及时断开主回路开关,使用安全;可手动测试漏电保护功能是否完好;放电金属片连接滤波网络,防止电磁干扰造成误动作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种安装在具有漏电保护功能的电源插头或电源插座或开关断路器内的抗雷击漏电检测保护电路
技术介绍
随着具有漏电保护功能的电源插座(简称GFCI )、电源插头、电源开关产业的不断发展,人们对具有漏电保护功能的电源插座、电源插头的功能、使用安全性要求越来越高, 因而这类产品需要设置相应漏电检测保护电路,在使用过程中出现漏电流时需要及时跳闸及时断开电源,并且,还要设置手动测试功能,即通过人为操作产生模拟漏电流使其跳闸, 如申请号为201010237744. 7专利技术专利申请公布了一种漏电检测保护电路,包括主回路开关、复位按钮、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅、用于检测漏电流的感应线圈、用于检测低电阻故障的自感应线圈以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片等;为了防止雷雨等恶劣天气,雷电对家用电器造成的损坏,电路中还要设置放电金属片,通过放电金属片释放瞬间高压的同时使主回路开关脱扣断开。这种电路仍然存在不足,即室内使用手机等情况产生的电磁波可能会使电路错误脱扣。
技术实现思路
针对上述技术问题,本专利技术提供一种同时还能防止电磁干扰引起误动作的抗雷击漏电检测保护电路。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案抗雷击漏电检测保护电路,包括主回路开关、复位按钮、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅、用于检测漏电流的感应线圈、用于检测低电阻故障的自感应线圈以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片,还包括一个与复位按钮联动的模拟供电开关,模拟供电开关为一单刀双掷开关,复位按钮处于脱扣状态或复位状态时,模拟供电开关的动接触杆C与第二静接触端B相连,为可控硅提供通路;复位按钮按下瞬间,模拟供电开关的动接触杆C与第一静接触端A接触产生人为模拟漏电流后自动断开并转为与静接触端 B接触闭合状态;该漏电检测保护电路在输入端零线火线之间或穿过自感应线圈后的零线火线之间或经自感应线圈交叉连接有一组放电金属片,两放电金属片至少其中之一有一放电尖端或放电弧面,放电尖端或放电弧面朝向另一放电金属片且具有一定间隙;两放电金属片之间连接有LC滤波网络。作为优选,所述两放电金属片均具有放电尖端或放电弧面,表面呈波浪形,形成电感,放电金属片之间具有极间电容,波浪形表面形成的电感和极间电容组成LC滤波网络。作为另一优选方案,所述两放电金属片之一具有放电尖端或放电弧面,表面呈波浪形,形成电感;具有放电尖端的放电金属片与另一放电金属片之间具有极间电容;另一放电金属片与相应相线相连或由该相线导体形成。进一步地,所述可控硅的阳极和阴极之间连接有一压敏电阻。进一步地,所述可控硅的阳极和阴极之间还连接有由发光二极管、电阻及二极管组成的工作指示电路,工作指示电路与压敏电阻并联。进一步地,所述电源输出端连接有错误接线指示电路,包括发光二极管、电阻二极管以及与复位按钮联动的常闭开关,复位按钮按下时常闭开关断开。 进一步地,该漏电检测保护电路还包括一用于定时驱动可控硅导通以使主回路开关断开的定时器,该定时器输出端与可控硅控制端相连,电源端经脱扣线圈与电源火线相连,接地端与电源零线相连。本专利技术的有益效果主要表现在在漏电流产生时及时断开主回路开关,使用安全; 可手动测试漏电保护功能是否完好;通过定时器定时(如一周)断开主回路开关,节约能源; 具有错误接线指示电路,在错将电源线接到电源输出端时及时提醒;设置放电金属片,有效防止雷击等瞬间高压情况损坏电器;放电金属片连接滤波网络,防止电磁干扰造成误动作。附图说明图1是本专利技术实施例一的电路图; 图2是本专利技术实施例二的电路图3是本专利技术实施例三的电路图; 图4是本专利技术实施例四的电路图; 图5是本专利技术实施例五的电路图; 图6是本专利技术实施例六的电路图; 图7是本专利技术实施例七的电路图; 图8是本专利技术实施例八的电路图; 图9是本专利技术实施例九的电路图; 图10是本专利技术实施例九的电路图; 图11是本专利技术实施例九的电路图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细描述 实施例一参照图1,本实施例的抗雷击漏电检测保护电路,包括主回路开关(KR2-1、KR2-2)、复位按钮RESET、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈L3、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅V4、用于检测漏电流的感应线圈Li、用于检测低电阻故障的自感应线圈L2以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片IC1,还包括一个与复位按钮联动的模拟供电开关KR-2,模拟供电开关KR-2为一单刀双掷开关,复位按钮处于脱扣状态或复位状态时,模拟供电开关KR-2的动接触杆C与第二静接触端B相连,为可控硅V4提供通路;复位按钮按下瞬间,模拟供电开关KR-2的动接触杆C与第一静接触端A接触产生人为模拟漏电流后自动断开并转为与静接触端B接触闭合状态;该漏电检测保护电路在输入端零线火线之间或穿过自感应线圈L2后的零线火线之间或经自感应线圈L2交叉连接有一组放电金属片,两放电金属片至少其中之一有一放电尖端或放电弧面,放电尖端或放电弧面朝向另一放电金属片且具有一定间隙;两放电金属片之间连接有LC滤波网络。为简化电路,降低成本,两放电金属片表面呈波浪形,形成电感,放电金属片之间具有极间电容XI,波浪形表面形成的电感和极间电容Xl组成LC滤波网络。组成LC滤波网络的电容也可以是外加电容,电容值范围10pF-1000pF。为进一步提高电路抗高压性能,可控硅V4的阳极和阴极之间连接有一压敏电阻 YMl。可控 硅V4的阳极和阴极之间还连接有由发光二极管V3、电阻R5及二极管V2组成的工作指示电路,工作指示电路与压敏电阻YMl并联,图1中,发光二极管V3阳极经电阻 R5、二极管V2及第二金属片与输入端零线相连;发光二极管V3阴极经脱扣线圈L3、模拟供电开关动接触杆C、静接触端B与输入单火线相连,形成回路,保持,模拟供电开关在复位按钮RESET按下瞬间,发光二极管V3阳极经模拟供电开关的动接触杆C、静接触端A与穿过自感应线圈L2的零线相连。只要输入端接入电源线,在电源负半周,发光二极管V3保持点亮状态,电源正半周时,电流经火线端HOT、脱扣线圈L3、控制芯片ICl的公共接地端4脚流出至电源零线端WHITE形成回路,此时无电流通过发光二极管V3,发光二极管V3熄灭,由于眼睛的视觉残留,发光二极管V3在有电源时保持常亮;在复位按钮按下瞬间,模拟供电开关动接触杆C离开静接触端,发光二极管V3熄灭,动接触杆C与静接触端接触后,发光二极管V3点亮。脱扣线圈只有在正负半周均有电压时才会驱动机械结构使复位按钮脱扣进而断开主回路开关,即在可控硅V4导通时脱扣。电源输出端连接有错误接线指示电路,包括发光二极管V5、电阻R6 二极管V6以及与复位按钮联动的常闭开关KR-4,复位按钮按下时常闭开关KR-4断开。该漏电检测保护电路还包括一用于定时驱动可控硅导通以使主回路开关KR2-1、 KR2-2断开的定时器DSQ,该定时器DSQ输出端与可控硅V4控制端相连,电源端经脱扣线圈 L3与电源火线相连,接地端与电源零线相连。本实施例的放电金属片具体连接方式为放电金属片组中的第一放电金属片一端与输入端零线相连,另一端经模拟供电开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.抗雷击漏电检测保护电路,包括主回路开关(KR2-1、KR2-2)、复位按钮、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈(L3)、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅(V4)、用于检测漏电流的感应线圈(L1)、用于检测低电阻故障的自感应线圈(L2)以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片(IC1),其特征在于:还包括一个与复位按钮联动的模拟供电开关(KR-2),模拟供电开关(KR-2)为一单刀双掷开关,复位按钮处于脱扣状态或复位状态时,模拟供电开关(KR-2)的动接触杆C与第二静接触端B相连,为可控硅(V4)提供通路;复位按钮按下瞬间,模拟供电开关(KR-2)的动接触杆C与第一静接触端A接触产生人为模拟漏电流后自动断开并转为与静接触端B接触闭合状态;该漏电检测保护电路在输入端零线火线之间或穿过自感应线圈(L2)后的零线火线之间或经自感应线圈(L2)交叉连接有一组放电金属片,两放电金属片至少其中之一有一放电尖端或放电弧面,放电尖端或放电弧面朝向另一放电金属片且具有一定间隙;两放电金属片之间连接有LC滤波网络。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张承宇张敏
申请(专利权)人:黄华道
类型:发明
国别省市:33

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