一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：⑴载体上蒸镀反射层，反射层上溅射两个金属凸点；⑵衬底上依次生成GaN成核层、GaN缓冲层、第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池、帽层、半透明电流扩展层；⑶第一次光刻；⑷干法蚀刻；⑸第二次光刻；⑹正、负电极蒸镀，构成太阳电池器件；⑺将步骤⑹中正、负电极与步骤⑴中两个金属凸点键合。本发明专利技术采用倒装结构、帽层，载体与正、负电极间键合的金属凸点，充分吸收了太阳光谱，外量子效率超过70%，提高了光电转换效率，延长了电池的使用寿命，加强了电池工作的稳定性，并可作为完整的电池直接应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池结构
，特别是涉及一种倒装三结化6鄉太阳能电池的制备方法。
技术介绍
公知的能源都是不可再生的，经过多年的开采之后，这些能源的储量都在一天天地减少，而且使用后会造成严重的环境问题，于是人们对太阳能这种取之不尽用之不竭的绿色能源越来越重视，长期以来，都在孜孜不倦地寻找高转换效率的材料。近年来，以GaN 及InGaN，AWaN为代表的第三代半导体材料——III族氮化物是人们研究的热点，它主要应用于光电器件和高温、高频、大功率器件。2002年的研究结果表明，^iN的禁带宽度不是之前报道的1. 89eV而是0. 7eV，这就意味着通过调节InGaN材料中h组分，可使其禁带宽度从3. ^V(GaN)到0. 7eVanN)连续可调，也就是其对应吸收光谱的波长从紫外部分(365nm) 可以一直延伸到近红外部分(1770nm)，几乎完整地覆盖了整个太阳光谱，除此之外，还有吸收系数高、电子迁移率高、抗辐射能力强等优点，于是化6鄉材料在太阳能电池领域中的应用引起了人们的密切关注。InGaN太阳能电池的发展趋势是制备多结串联太阳能电池，这是由于其禁带宽度在太阳光谱的最主要范本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种倒装三结ＩｎＧａＮ太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：⑴　在载体上蒸镀反射层，并在反射层上溅射两个金属凸点；⑵　通过金属有机化学气相沉积，在衬底上依次生长ＧａＮ成核层、　ＧａＮ缓冲层、第一ＩｎＧａＮ电池、第一隧道结、第二ＩｎＧａＮ电池、第二隧道结、第三ＩｎＧａＮ电池、帽层；然后在帽层上蒸镀半透明电流扩展层；⑶　第一次光刻：在半透明电流扩展层上光刻出保护区和蚀刻区；⑷　干法蚀刻：通过干法蚀刻，去掉步骤⑶中蚀刻区的半透明电流扩展层、帽层、第三ＩｎＧａＮ电池、第二隧道结电池、第二ＩｎＧａＮ电池、第一隧道结、第一ＩｎＧａＮ电池的ｐ－ＩｎａＧａ１－ａＮ层；⑸　第二次光刻：在步骤⑶中保...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘如彬，孙强，张启明，王帅，康培，高鹏，穆杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，天津蓝天太阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12