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本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：⑴载体上蒸镀反射层，反射层上溅射两个金属凸点；⑵衬底上依次生成GaN成核层、GaN缓冲层、第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池...该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所;天津蓝天太阳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所;天津蓝天太阳科技有限公司授权不得商用。