具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件制造技术

公开了一种具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件具有形成在同一衬底上方的异质结双极晶体管(HBT)和场效应晶体管(FET)提供改进的HBT特性和降低的HBT集电极电阻，并且还提供了FET栅极凹陷的满意蚀刻，以及FET中的低导通电阻。异质结双极晶体管(HBT)的子集电极层是多个半导体层的层压结构，而且集电极电极形成在从一个集电极层向外突出的部分上。在两个FET中，形成HBT的子集电极层的半导体层的半导体衬底侧上的至少一个半导体层还用作电容器层的至少一部分。HBT子集电极层的总膜厚度为500nm或以上；并且FET电容器层的总膜厚度在50和300nm之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有在同一衬底上方形成的异质结双极晶体管(HBT)和场效应晶体管(FET)的半导体器件。
技术介绍
随着无线终端的RF模块变得越来越小，并且具有越来越多的功能，半导体器件必须变得更加高度地集成。尤其需要在同一衬底上形成的包括RF功率放大器功能和RF切换功能的半导体器件。在现有技术中，异质结双极晶体管(HBT)广泛地用作功率放大器元件。 然而，HBT中的偏置电压使得它们不适于实施低损耗RF切换，所以场效应晶体管(FET)通常用作RF切换IC。由于这些情况，正在努力开发具有形成在同一半导体衬底上方的HBT和 FET的BiFET器件，来用作能够在单个半导体器件上实施功率放大器功能和切换IC功能的半导体器件。图5的美国专利No. 7015519的说明书公开了一种BiFET器件，包括层压外延层 (102)，其包括缓冲层和FET层；InGaP蚀刻停止层(103)；用作HBT子集电极层和FET帽盖层的Ii+-GaAs帽盖层(104) ；InGaP蚀刻停止层(124) ；GaAs集电极层(105) ；P+-GaAs基极层(106) ；InGaP发射极层(107)和由Ii+-GaAs和本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：在同一半导体衬底的不同区域上方，异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管至少包括第一导电类型子集电极层、集电极层、第二导电类型基极层、第一导电类型发射极层、集电极电极、基极电极和发射极电极；和场效应晶体管，所述场效应晶体管包括积聚第一导电类型载流子的沟道层、帽盖层、栅电极、以及形成在帽盖层上方的一对欧姆电极，其中，异质结双极晶体管中的子集电极层包括包含多个第一导电类型半导体层的层压结构，此外，子集电极层的形成表面面积比集电极层大，并且在所述子集电极层中，集电极形成在从集电极层向外突出的部分上方，其中，在场效应晶体管中，形成异质结双极晶体管的子集电极层的半导体衬底侧上的多...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾藤康则，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP