温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件具有形成在同一衬底上方的异质结双极晶体管(HBT)和场效应晶体管(FET)提供改进的HBT特性和降低的HBT集电极电阻，并且还提供了FET栅极凹陷的满意蚀刻，以及FET中...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。