本发明专利技术公开了一种白光LED用橙红色荧光粉及其制备方法，该荧光粉的化学式为SrxCayCO3:zEu，其中，0.40≤x≤1.00，0≤y≤0.60，0.001≤z≤0.100，x+y+z＝1。第一种制法是按上述化学式的化学计量比将含锶化合物、含钙化合物和含铕化合物混合后溶解，再与草酸或草酸铵溶液共沉淀制得草酸盐前驱体，在还原气氛下高温烧结并降至室温，研磨、烘干即可。另一种制法是按该化学式中的化学计量比将干燥的碳酸锶、碳酸钙与含铕化合物溶液混合、研磨、干燥得到原料混合物，在还原气氛下高温烧结并降至室温，研磨、烘干即可。本发明专利技术的荧光粉被390～570nm的紫外可见光激发，发射590～630nm的橙红色光，可作为白光LED发光器件的材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术具体涉及一种白光LED用橙红色荧光粉及其制备方法，特别是涉及一种可 被390 570nm波长紫外可见光有效激发的二价铕激活的白光LED用橙红色荧光粉及其制 备方法，属于稀土发光材料
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体在照明领域的应用取得了突出的成就。半导体白 光照明是指用LED(light-emitting diode)芯片作为光源，激发荧光粉发光并与芯片光源 组合形成白光，也叫白光LED。白光LED具有高效、节能、环保、寿命长、体积小等特点，被称 为"第四代照明光源"。目前，各国政府和产业界已投入大量资金和人力进行半导体照明技 术的研究与开发。 目前商业化的白光LED的主流工艺是通过在发出蓝光的GaN芯片上涂覆黄色 YAG:Ce荧光粉并组合产生白光。该工艺制作简单、成本低廉、成品发光效率高、寿命长，是目 前商业化最有效、安全、可靠的技术方案。但是该器件产生的白光与自然白光之间存在较大 差异，主要是由于缺少了 600nm以上的红光成分，导致发光显色性不足。因此，需要一种能 有效的被蓝光LED芯片激发的红色荧光粉来弥补该器件缺失的红光成分。 然而，可商用的白光LED用红色荧光粉还主要局限于硫化物基质的荧光粉(如 CaS:EU2+和SrS:Eu2+等)，由于硫化物基质容易受水分、空气和阳光的影响分解产生H2S气 体造成荧光粉失效甚至造成发光器件的损坏。因此，开发光谱含有红色成分，同时稳定性 好、发光效率高的白光LED用橙红色荧光粉甚为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于弥补现有技术的不足，提供一种白光LED用橙红色荧光粉及其 制备方法，该类荧光粉在390 570nm范围内均可被有效激发，发射峰位于橙红色区域且可 以在590 630nm之间进行调节。实现本专利技术目的的技术方案是一种白光LED用橙红色荧光粉，其化学式为 SrxCayC03:zEu，其中，0. 40《x《1. 00， 0《y《0. 60， 0. 001《z《0. 100， x+y+z = 1。 优化的荧光粉化学式为SrxCayC03:zEu，其中，0. 40《x《1. OO，O《y《0. 60， 0. 010《z《0. 020， x+y+z = 1。 上述荧光粉被390 570nm的紫外可见光激发，发射中心波长为590 630nm的 橙红色光。 本专利技术还提供了上述白光LED用橙红色荧光粉的两种制备方法，其中一种方法包 括以下步骤 (1)用化学共沉淀法制备前驱体按荧光粉化学式SrxCayC03:ZEu，其中 0. 40《x《1. OO，O《y《0. 60，0. 001《z《0. 100， x+y+z = 1的化学计量比称取含锶 化合物、含钙化合物和含铕化合物，混合后用过量硝酸或盐酸溶解或直接溶解于水得到溶3液，在不断搅拌的条件下，将该溶液滴入到过量的草酸或草酸铵溶液中，沉淀结束后将沉淀 陈化，然后过滤、洗涤、干燥、充分研磨后得到草酸盐前驱体；所述含锶化合物为碳酸锶、氧 化锶、氢氧化锶或可溶性锶盐，含^化合物为碳酸^、氧化H氢氧化^或可溶性^盐，含铕 化合物为氧化铕或可溶性铕盐； (2)将草酸盐前驱体在还原气氛下于900 115(TC烧结1 10小时后自然降温 至室温，然后将烧结产物充分研磨、烘干，得到白光LED用橙红色荧光粉；所述还原气氛为 碳还原气氛或含氢惰性混合气氛。 上述步骤(1)中是按荧光粉化学式SrxCayC03:zEu，其中0. 40《x《1.00， 0《y《0. 60，0. 010《z《0. 020，x+y+z = 1的化学计量比称取含锶化合物、含f丐化合物 和含铕化合物。 上述步骤(1)中所述陈化时间为0. 5 10小时。 上述步骤(2)中是将草酸盐前驱体在还原气氛下于95(TC烧结5小时后自然降温 至室温。 另一种制备方法包括以下步骤 (1)原料预处理将碳酸锶、碳酸钙和氧化铕分别干燥后取出封存，然后将上述氧 化铕溶于硝酸或盐酸中配成硝酸铕或氯化铕溶液； (2)按荧光粉化学式SrxCayC03:zEu，其中0. 40《x《1. 00，0《y《0.60， 0. 001《z《0. 100， x+y+z = 1的化学计量比称取碳酸锶和碳酸钙，再加入步骤(1)中的 硝酸铕或氯化铕溶液，研磨均匀，恒温干燥得到原料混合物； (3)将原料混合物在还原气氛下于900 115(TC烧结1 10小时并自然降温至 室温，然后将烧结产物充分研磨，烘干即得到白光LED用橙红色荧光粉；所述还原气氛为碳 还原气氛或含氢惰性混合气氛。 上述步骤(2)中是按荧光粉化学式SrxCayC03:zEu，其中0. 40《x《1.00， 0《y《0. 60，0. 010《z《0. 020， x+y+z = 1的化学计量比称取碳酸锶和碳酸钙。 采用本专利技术方法制备的荧光粉，用X射线粉末衍射仪和荧光光谱仪进行测试，测 试结果表明，所制备的荧光粉的激发光谱为390nm 570nm的宽带状谱，根据x值不同，激 发光谱的中心波长为470nm 500nm之间；用波长为460nm的光激发，根据x值不同，其发 射光谱为中心波长位于590nm 630nm之间的宽带状谱。说明采用本专利技术方法制备的荧光 粉适用于GaN芯片激发的白光LED的橙红至红色荧光粉，通过调整原料配比钙和锶的比例， 以调整荧光粉的发光中心波长，能满足白光LED用橙红色荧光粉的要求，可作为白光LED发 光器件的材料。附图说明 图l为本专利技术实施例l所得Sr。.985C03:0.015Eu"荧光粉的激发(曲线1， A em = 596nm)和发射(曲线2， A ex = 460nm)光谱图；样品在390nm 560nm波长范围内被有效 激发，在460nm波长光激发下，样品呈现525nm 680nm之间的宽谱发射，发射峰位于596nm 处。 图2为本专利技术实施例7所得Sr。.936Ca。.。494C03:0. 015Eu2+荧光粉的XRD图谱。 图3为本专利技术实施例7所得Sr。.936Ca。.。494C03:0. 015Eu2+荧光粉的发射光谱图(入ex4=460nm);样品在460nm波长光激发下呈现530nm 685nm的宽谱发射，发射峰位于602nm 处。 图4为本专利技术实施例8所得Sr。.8865Ca。.985C03:0. 015Eu2+荧光粉的发射光谱图(入ex =460nm);样品在460nm波长光激发下呈现540nm 690nm的宽谱发射，发射峰位于615nm 处。 图5为本专利技术实施例10所得Sr。.394Ca。.591C03:0. 015Eu2+荧光粉的发射光谱图(入ex =460nm);样品在460nm波长光激发下呈现570nm 700nm的宽谱发射，发射峰位于624nm 处。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术进一步详细说明，但本专利技术的保护范围不局 限于以下实施例。 以下实施例中采用的SrCl2 *6H20、CaCl2、H2C204、 (NH4) 2C204、HN03均为分析纯，Eu203 的纯度为99. 99%，将其溶于HN03配成0. lmol/L的Eu(N03)3水溶液备用，以下实施例中如 无特别说明，所述Eu (N03) 3水溶液均指该溶液。 实施例1 称取S本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种白光ＬＥＤ用橙红色荧光粉，其特征在于该荧光粉的化学式为：Ｓｒ↓［ｘ］Ｃａ↓［ｙ］ＣＯ↓［３］：ｚＥｕ，其中，０．４０≤ｘ≤１．００，０≤ｙ≤０．６０，０．００１≤ｚ≤０．１００，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁玉军，李永周，刘明宇，涂东，杨志红，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，
类型：发明
国别省市：83
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