本申请提供了一种氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件。氮氧化物橙-红色荧光物质的化学式为MmAaSixNyOz:dR，其中M元素为Ca、Sr或Ba中的一种或一种以上元素；A元素为Al或Al与Ga、La、Sc或Y中的一种或一种以上元素的混合；R元素为Ce、Eu或Mn中的一种或一种以上元素；且上述化学式满足0.8≤m≤1.2，1<a<1.7，1<x<1.7，3<y<4.2，0<z<0.7，0.001≤d≤0.2。本发明专利技术所提供的这种氮氧化物橙-红色荧光物质在辐射源的激发下能够发出橙-红的光线，且这种荧光物质具有较好的发光效率，能够满足高显色、低色温白光LED的需要。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请提供了一种氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件。氮氧化物橙-红色荧光物质的化学式为MmAaSixNyOz:dR，其中M元素为Ca、Sr或Ba中的一种或一种以上元素；A元素为Al或Al与Ga、La、Sc或Y中的一种或一种以上元素的混合；R元素为Ce、Eu或Mn中的一种或一种以上元素；且上述化学式满足0.8≤m≤1.2，1<a<1.7，1<x<1.7，3<y<4.2，0<z<0.7，0.001≤d≤0.2。本专利技术所提供的这种氮氧化物橙-红色荧光物质在辐射源的激发下能够发出橙-红的光线，且这种荧光物质具有较好的发光效率，能够满足高显色、低色温白光LED的需要。【专利说明】氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件。
技术介绍
白光发光二极管(白光LED)具有低电压、高光效、低能耗、长寿命、无污染等优点，在半导体照明及平板显示领域得到了成功的应用。目前白光LED的实现方式主要分为两种:第一种是三基色(红、蓝、绿)LED芯片的组合；另一种是用LED芯片激发荧光物质混合形成白光，即用蓝光LED芯片配合发黄光的荧光物质，或者用蓝光LED配合发绿色光和红色光的两种荧光物质，或者用紫外或紫光LED去激发红、绿、蓝三种荧光物质等。在这些实现方式中，蓝光LED芯片配合Y3Al5O12: Ce黄色荧光物质的方式简单、易行、且价格相对低廉，成为白光LED的主流方案。然而使用这种方式形成的白光光谱比较单一，光谱主要集中在黄光区域，导致制备的白光LED显色性较低。通过在封装过程中添加橙-红色荧光物质可以补偿白光LED光谱中缺失的红色成分，提升白光LED产品的显色能力。氮/氮氧化物荧光物质问世以来，受到了广泛关注。该类荧光物质的阴离子基团含有高负电荷的N3—，电子云膨胀效应使得其激发光谱向近紫外、可见光等长波方向移动，可以被200~500nm范围内蓝光和紫外激发发光，发射光主波长分布在600~720nm较宽范围内，具备显色性好、发光效率高的特点，安全性能好、无毒、环保，且基质具有紧密的网络结构，物理化学性质稳定(例如，专利文献EP1104799A1、W02005/052087, CN100340631C、CN101090953A中公开的荧光物质)。在硅基氮化物红粉中(专利CN1918262B)，利用Sr对CaAlSiN3IEu红粉的调控可有效提升荧光物质的发光强度。本专利专利技术的氮氧化物橙_红色荧光物质进一步增加了荧光粉的调控范围，光色范围可以扩充到橙色区域。
技术实现思路
为了解决现有技术中的不足，本专利技术提供了一种氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件，以便于提高氮氧化物橙-红色荧光物质的发光效率。在本专利技术的一个方面，提供了一种氮氧化物橙-红色荧光物质，该荧光物质的化学式为MmAaSixNyOz: dR,其中M元素为Ca、Sr或Ba中的一种或一种以上元素；A元素为Al或Al与Ga、La、Sc或Y中的一种或一种以上元素的混合；R元素为Ce、Eu或Mn中的一种或一种以上元素；且上述化学式满足0.8≤m≤1.2，l〈a〈l.7，1〈χ〈1.7，3<y<4.2，0〈ζ〈0.7，0.001 ≤ d ≤ 0.2。进一步地,上述突光物质的化学式中a:x=0.8~1.2。进一步地,上述突光物质的化学式中a/(m+d) > I。进一步地，上述氮氧化物橙-红色荧光物质的主要生成相在Cuka线的粉末X射线衍射图谱中，至少在布拉格角度(2 Θ ) 31.3°~32.7°，35.2°~36.2°，36.2°~36.7° ,36.7°~37.6°的范围内存在衍射峰，其中36.7°~37.6°范围内的衍射峰强度不低于36.2°~36.7°范围内的衍射峰强度的18%，该荧光粉的发射光谱的半峰宽度不低于 82nm。进一步地，上述氮氧化物橙-红色荧光物质的主要生成相在Cuka线的粉末X射线衍射图谱中，至少在布拉格角度(2 Θ )在31.3°~31.8° ,31.8°~32.7° ,35.2°~36.2° ,36.2° ~36.7°，36.7。~37.6°，48.0。~49.5°，56.0。~57.2° 的范围内存在衍射峰，且该荧光粉的发射光谱的半峰宽度不低于95nm。进一步地，上述M元素为Ca和/或Sr ；A元素为Al，或者Al与Ga和/或Y的混合物；R元素为Eu和Mn中的一种或两种元素。进一步地，上述A元素为Al。 进一步地，上述R元素为Eu。进一步地,上述M元素为Ca。进一步地，上述荧光物质为粉末状、薄膜状或片状。同时，在本专利技术中还提供了一种发光膜或发光片，该发光膜或发光片是由上述的氮氧化物橙-红色荧光物质分散在玻璃材料、塑料材料或树脂材料中所形成的，或者，是由上述的氮氧化物橙-红色荧光物质与其他荧光物质共同分散在玻璃材料、塑料材料或树脂材料中或涂敷在玻璃材料、塑料材料或树脂材料之上所形成的。进一步地，上述发光膜或发光片中其他突光物质为下列突光物质中一种或一种以上(Y, Gd, Lu, Tb) 3 (Al, Ga) 5012: Ce, (Mg, Ca, Sr, Ba)2Si04:Eu、(Ca, Sr) 3Si05:Eu、(La, Ca)3Si6Nn:Ce、a -SiA10N:Eu、β _SiA10N:Eu、Ba3Si6O12N2:Eu、Ca3(Sc, Mg)2Si3012:Ce、CaSc2O4: Eu> BaAl8O13: Eu> (Ca, Sr, Ba) Al2O4: Eu> (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga, In) 2S4: Eu>(Ca, Sr) 8 (Mg, Zn) (SiO4) 4C12: Eu/Mn、(Ca, Sr, Ba) 3MgSi208: Eu/Mn、(Ca, Sr, Ba)2(Mg, Zn)Si207:Eu、Zn2Si04:Mn, (Y, Gd)BO3:Tb, ZnS:Cu, Cl/Al、ZnS:Ag, Cl/Al、(Sr, Ca)2Si5N8:Eu、(Sr, Ca) AlSiN3:Eu、(Li，Na, K) 3ZrF7: Mn、(Li，Na, K) 2 (Ti，Zr) F6: Mn、(Ca, Sr, Ba)(Ti, Zr) F6:Mn、Ba0 65Zr0.35F27:Mn、(Sr, Ca) S: Eu, (Y, Gd) BO3: Eu、(Y，Gd) (V，P)04:Eu、Y2O3: Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) 5 (PO4) 3C1: Eu、(Ca, Sr, Ba) MgAl10O17: Eu> (Ca, Sr, Ba) Si2O2N2: Eu、3.5Mg0.0.5MgF2.GeO2:Mn。同时，在本专利技术中还提供了一种发光器件，该发光器件至少包含辐射源和上述的氮氧化物橙-红色荧光物质。进一步地，上述辐射源为紫外、紫光、或蓝光发射源。进一步地，上述发光器件中还含有被辐本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘荣辉，徐会兵，周小芳，赵春雷，马谦，高慰，何华强，黄小卫，
申请(专利权)人：有研稀土新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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