锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料、制备方法及其应用技术

一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料，其化学式为SiAlON：xSb3+,yTb3+，其中SiAlON是基质，锑离子和铽离子是激活元素，x为0.01～0.05，y为0.01～0.08。该锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在490nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料的制备方法及其应用。

【技术实现步骤摘要】
锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料、其制备方法、锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料、其制备方法、锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜、其制备方法、使用该锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料，其化学式为SiAlON:xSb3+, yTb3+，其中SiAlON是基质，锑离子和铽离子是激活元素，X为0.01-0.05，y为0.01-0.08。在优选的实施例中，X为0.02，y为0.04。一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料，其特征在于：其化学式为SiAlON：xSb3+,yTb3+，其中SiAlON是基质，锑离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.01~0.08。

【技术特征摘要】
1.一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料，其特征在于:其化学式为SiAlON:xSb3+，yTb3+，其中SiAlON是基质，锑离子和铽离子是激活元素，x为0.0f 0.05，y为0.01 -0.08。2.根据权利要求1所述的锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料，其特征在于:所述X为 0.02，y 为 0.04。3.—种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据SiAlON:xSb3+, yTb3+各元素的化学计量比称取Si3N4, Al2O3, SbO2和Tb4O7粉体并混合均匀，其中，X为0.01-0.05，y为0.01-0.08 ;及 将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时即得到化学式为SiAlON:xSb3+, yTb3+的锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料。4.一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜，其特征在于，该锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜的材料的化学通式为SiAlON:xSb3+, yTb3+，其中SiAlON是基质，锑离子和铽离子是激活元素，X为0.01-0.05，y为0.01-0.08。5.一种锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据SiAlON:xSb3+, yTb3+各元素的化学计量比称取Si3N4, Al2O3, SbO2和Tb4O7粉体并混合均匀在900°C-1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中，x为0.01-0.05，y为0.01-0.08 ； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0Χ KT3Pa ~1.0 X KT5Pa ;及 调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.5Pa~5Pa，激光的能量为80W~300W，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为2500C~750°C，接着进行制膜，得到化学式为SiAlON:xSb3+, yTb3+的锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜。6.根据权利要求5所述的锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光薄膜的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：