【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法 及接触孔的形成方法。
技术介绍
在集成电路的制造中，通常通过刻蚀工艺将沉积在半导体衬底上的材料，比如二 氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属、金属硅化物和单晶硅以预定好的图形刻蚀形成栅、通路、接 触孔、沟道或者互连线。在刻蚀工艺中，刻蚀残余物(经常指聚合物)会沉积在刻蚀腔内的腔壁和其它部 件的表面上，刻蚀残余物的组成依赖于蒸发的刻蚀气体的类型、被刻蚀的材料、以及衬底上 掩模层的化学组成。例如，当被刻的是金属层，例如铝等，对金属层的刻蚀会导致金属物质 的蒸发。另外，衬底上的掩模层也会部分的被刻蚀气体蒸发出来形成气态的烃、氟代烃、氯 代烃或者含氧物质。这些蒸发的气态物质冷凝下来，形成包括聚合副产物的刻蚀剂的残余 物。所述聚合副产物包括硅氟化物、金属氯化物或者氧气以及高度氟代和/或氯代的烃。现有在刻蚀以氧化硅为材料的绝缘介质层形成接触孔之前，通常会对刻蚀腔室进 行清洗，现有技术的一种方法是将刻蚀腔室的频率设置为27MHz，但是在此频率下，设定预 定功率对刻蚀腔室进行清洗。但采用这种方法进行清洗后的刻蚀...
【技术保护点】
一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，包括： 向刻蚀腔室内通入气体，对刻蚀腔室侧壁的聚合物进行清洗； 在设定的工作频率下，随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，尹晓明，孙武，黄怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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