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一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法。其中清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法,包括:向刻蚀腔室内通入气体,设置预定的工作频率;随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率,使刻蚀腔室侧壁的聚合物厚度达到最佳。本发明使在刻蚀腔室内形成的接触孔...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法。其中清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法,包括:向刻蚀腔室内通入气体,设置预定的工作频率;随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率,使刻蚀腔室侧壁的聚合物厚度达到最佳。本发明使在刻蚀腔室内形成的接触孔...