【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光强衰减装置，尤其涉及用于光刻设备的光强衰减装置。
技术介绍
现有技术中的光刻装置，主要用于集成电路IC或其他微型器件的制造。通过光刻 装置，具有不同掩模图案的多层掩模在精确对准下依次成像在涂覆有光刻胶的硅片上，例 如半导体硅片或LCD板。光刻装置大体上分为两类，一类是步进光刻装置，掩模图案一次曝 光成像在硅片的一个曝光区域，随后硅片相对于掩模移动，将下一个曝光区域移动到掩模 图案和投影物镜下方，再一次将掩模图案曝光在硅片的另一曝光区域，重复这一过程直到 硅片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像。另一类是步进扫描光刻装置，在上述过程中，掩 模图案不是一次曝光成像，而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中，掩 模与硅片同时相对于投影系统和投影光束移动。光刻装置中关键的步骤是将掩模与硅片对准。第一层掩模图案在硅片上曝光后 从装置中移开，在硅片进行相关的工艺处理后，进行第二层掩模图案的曝光，但为确保第二 层掩模图案和随后掩模图案的像相对于硅片上已曝光掩模图案像的精确定位，需要将掩模 和硅片进行精确对准。由光刻技术制造的IC器件需要多次曝光在硅片...
【技术保护点】
一种用于光刻机的对准系统的自动光强衰减装置，包括控制器，滤光片，电机，光电传感器，其特征在于，所述电机驱动所述滤光片旋转，用以调整入射光的衰减值，所述光电传感器用于向控制器反馈所述滤光片的旋转角度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戈亚萍，徐荣伟，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，上海微高精密机械工程有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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