本发明专利技术提供一种像素单元和包括所述像素单元的液晶显示装置，像素单元包括：数据线、栅线、TFT开关、像素电极、公共电极以及漏极连接件；数据线，连接于TFT开关的源极，用于提供像素电压；栅线，连接于TFT开关的栅极，用于提供导通TFT开关源极和漏极的扫描信号；像素电极，连接于TFT开关的漏极，用于和公共电极形成控制液晶分子在水平面内偏转的电场；漏极连接件，用于实现TFT开关的漏极与像素电极的电连接；其中，像素电极为条状电极，漏极连接件连接于像素电极的中间部，像素电极的端部与数据线在透光方向上具有交叠区域。本发明专利技术提高了液晶显示装置的开口率，此外，本发明专利技术无需改动现有产线即可完成制作，不会增加生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种边缘场开关(FFS，Fringe Field Switching)模式的像素单元和液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置，由于具有低压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，现已广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备的显示装置。与阴极射线管或等离子体显示装置不同，液晶分子自身并不发光，而是通过调制外界光达到显示目的，即依靠对外界光的不同反射或透射形成不同对比度，从而达到显示目的。现有技术中，液晶分子在竖直方向上发生偏转，以调制外界光，但是这会导致显示器视角较小。当前液晶显示领域的研究热点之一就是广视角技术，而FFS模式的液晶显示装置就是广视角技术中颇具优势的一种。在公开号为CN101046592A的中国专利申请中就公开了一种FFS模式的液晶显示装置。参考图1，示出了所述中国专利申请中FFS模式的液晶显示装置的示意图，所述液晶显示装置包括阵列基板AR、彩色滤光片基板CF、以及位于阵列基板AR和彩色滤光片基板 CF之间的液晶层LC，所述阵列基板AR在入射光的入射面上设置有第一偏振片61，彩色滤光片基板CF在透射光的出射面上设置有与第一偏光片61偏振方向垂直的第二偏光片62， 其中，阵列基板AR，在与液晶层LC相对的面上设置公共电极75、位于公共电极75上的绝缘层76以及位于绝缘层76上的多个条状像素电极78，在公共电极75上加载公共电压，在条状像素电极78上加载像素电压，则可以在条状像素电极78和公共电极75之间形成电场， 所述电场可以控制液晶分子在水平面内旋转，施加于条状像素电极78上的像素电压不同， 则液晶分子的偏转角度不同。液晶显示装置通过水平面内旋转的液晶分子对入射光进行调制，同时在第一偏光片61和第二偏光片62的配合下，可以获得不同的光强的透射光，从而实现显示目的。FFS模式的液晶显示装置包括多个阵列排布的像素单元，参考图2，示出了图1所示FFS模式的液晶显示装置中一像素单元的示意图。所述像素单元包括栅线72、与所述栅线72垂直的数据线74、位于栅线72和数据线74的交点处薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)开关79，所述TFT开关79的源极与数据线74相连，TFT开关79的栅极与栅线 72相连，TFT的漏极与像素电极78相连，其中，TFT的漏极通常通过漏极连接件80(参考图 2中点填充部)与像素电极78相连。在显示过程中，向栅线72提供扫描信号，使TFT开关 79的源极和漏极之间连通，之后向数据线74提供像素电压信号，像素电压信号通过TFT的源极输入至漏极，施加于像素电极78上，用于产生控制液晶分子偏转的平面电场。通常，像素电极78为一组按序排列的条状电极，所述条状电极的端部70产生第一电场E1，条状电极中间部产生第二电场E2，所述第一电场El与第二电场E2的方向有所不同，如图2所示，第一电场El沿水平方向，第二电场E2的方向接近竖直方向。由于条状电3极端部71产生第一电场El与第二电场E2方向不同，那么，第一电场El与第二电场E2使液晶分子的偏转方向也有所不同，这使液晶显示装置在条状电极端部71处容易发生漏光现象，而漏光现象会导致液晶显示装置对比度下降，从而使显示效果较差。FFS模式的液晶显示装置还包括位于栅线、数据线及TFT开关上方的黑框87，所述黑框87通常用于遮光，以提高对比度。现有技术中，采用较宽的黑框87，以遮挡条状电极端部71造成的漏光。但是，较宽的黑框87减小了像素单元的透光区域，从而大大减小了液晶显示装置的开口率。
技术实现思路
本专利技术解决的是改善液晶显示装置开口率较低的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种像素单元，包括数据线、栅线、TFT开关、像素电极、公共电极以及漏极连接件；所述数据线，连接于TFT开关的源极，用于提供像素电压； 所述栅线，连接于TFT开关的栅极，用于提供导通TFT开关源极和漏极的扫描信号；所述像素电极，连接于TFT开关的漏极，用于和公共电极形成控制液晶分子在水平面内偏转的电场；所述漏极连接件，用于实现TFT开关的漏极与像素电极的电连接；其中，所述像素电极为条状电极，所述漏极连接件连接于像素电极的中间部，所述像素电极的端部与数据线在透光方向上具有交叠区域。可选地，还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖于数据线、漏极连接件上，公共电极位于所述第一绝缘层上，第二绝缘层覆盖于公共电极上，像素电极位于第二绝缘层上，其中，所述像素电极的端部位于数据线上方。可选地，像素电极的端部位于数据线中心线的上方。可选地，所述第一绝缘层的厚度大于2. 5μπι。可选地，所述漏极连接件通过贯穿所述第一绝缘层、公共电极和第二绝缘层的过孔与像素电极相连。可选地，所述过孔设置在像素电极的下方。可选地，所述像素电极呈弯折状，所述漏极连接件连接于弯折状像素电极的拐点处。可选地，所述漏极连接件为不透光的导电材料。可选地，所述漏极连接件为透光的导电材料。相应地，本专利技术还提供一种包括所述的像素单元的液晶显示装置。可选地，所述液晶显示装置包括第一像素单元和与所述第一像素单元相邻的第二像素单元，所述第一像素单元包括第一像素电极，所述第二像素单元包括第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极与同一数据线有交叠区域，所述第一像素电极和第二像素电极在数据线延伸方向上交替排布。与现有技术相比，本技术方案具有以下优点漏极连接件连接于像素电中间部， 使像素电极的端部可以延伸至数据线的上方，使像素单元的漏光部位集中在数据线所在区域，采用较窄的黑框就可以遮挡集中于数据线附近的漏光，从而使液晶显示器具有较大的开口率。附图说明图1是现有技术FFS模式液晶显示装置的示意图；图2是图1所示FFS模式液晶显示装置一像素单元的示意图；图3是本专利技术像素单元一实施例的示意图；图4是图3所示像素单元的剖面示意图；图5是本专利技术液晶显示装置中两个像素单元的示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。针对
技术介绍
中描述开口率较低的问题，本专利技术提供一种像素单元。参考图3，示出了本专利技术像素单元一实施例的示意图。本实施例以双畴的FFS模式的像素单元为例，所述像素单元包括数据线201、栅线202、TFT开关203、像素电极205、公共电极204、漏极连接件206，其中，数据线201，连接于TFT开关203的源极，用于向像素单元提供像素电压；栅线202，连接于TFT开关203的栅极，用于向像素单元提供扫描信号以打开TFT 开关203，使TFT开关203的源极和漏极导通；像素电极205，连接于TFT开关203的漏极，所述公共电极204连接于公共布线(图未示)，所述像素电极205和公共电极204用于形成控制液晶分子在水平面内偏转的电场；漏极连接件206，用于实现TFT开关203的漏极与像素电极205的电连接；所述像素电极205为条状电极，漏极连接件206连接于像素电极205的中间部，并且，像素电极205本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种像素单元，其特征在于，包括：数据线、栅线、ＴＦＴ开关、像素电极、公共电极以及漏极连接件；所述数据线，连接于ＴＦＴ开关的源极，用于提供像素电压；所述栅线，连接于ＴＦＴ开关的栅极，用于提供导通ＴＦＴ开关源极和漏极的扫描信号；所述像素电极，连接于ＴＦＴ开关的漏极，用于和公共电极形成控制液晶分子在水平面内偏转的电场；所述漏极连接件，用于实现ＴＦＴ开关的漏极与像素电极的电连接；其中，所述像素电极为条状电极，所述漏极连接件连接于像素电极的中间部，所述像素电极的端部与数据线在透光方向上具有交叠区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：霍思涛，凌志华，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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