硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，步骤如下：a、将硅片清洗制绒；b、扩散；c、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片正面镀减反膜；e、在硅片正面制作金属电极；f、用激光从硅片反面照射金属电极；g、在硅片反面制作背面电极；h、加热。本发明专利技术提供了一种能有效减小硅片和金属电极之间的欧姆接触电阻的硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其无需高温烧结，并能降低电池的串联电阻，提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，属于硅太阳能电池的电极金属化

技术介绍
进入21世纪以来光伏产业成为世界上增长最快的高新技术产业。在各类太阳能电池中，晶体硅太阳能电池占有极其重要的地位，目前占据了光伏市场80%以上的份额。在研究领域，小面积单晶硅和多晶硅电池的实验室效率分别已达到25%和20. 4%，但这些高效电池的制备工艺过于复杂，无法满足产业化的要求。在产业领域中，常规的多晶硅电池效率为15-17%，单晶硅电池效率为17-19%。传统的太阳能电池的制备方法及其工艺流程为清洗制绒、扩散、去边结、去PSG、镀制氮化硅薄膜、丝网印刷、烧结以及测试。传统的高温烧结工艺决定了太阳能电池效率不能有很大提高，烧结过程中最高温度大于800°C，时间大于ls，高温过程较长，引入杂质的沾污，且不满足方块电阻大于60 Ω / 口、结深小于0. 3 μ m的浅结高效电池所需的低欧姆接触电阻的需求。此外，由于扩散后各个电池片的方块电阻大小均有差异，而现在的烧结工艺是将方块电阻相差不大的电池片采用同一烧结温度，对于方块电阻偏高或者方块电阻极为不均勻的电池片来说就存在烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其特征在于制备步骤如下：ａ、将硅片（１）清洗制绒；ｂ、扩散；ｃ、去边结和去磷硅玻璃；ｄ、在硅片（１）正面镀减反膜（２）；ｅ、在硅片（１）正面制作金属电极（３）；ｆ、用激光（４）从硅片（１）反面照射金属电极（３）；ｇ、在硅片（１）反面制作背面电极；ｈ、在硅片（１）反面制作背面电场；ｉ、加热。

【技术特征摘要】
1.一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其特征在于制备步骤如下a、 将硅片⑴清洗制绒；b、扩散；C、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片⑴正面镀减反膜(2) ；e、 在硅片(1)正面制作金属电极(3) ；f、用激光(4)从硅片(1)反面照射金属电极(3) ；g、在硅片(1)反面制作背面电极；h、在硅片(1)反面制作背面电场；i、加热。2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其特征在于步骤f中的激光⑷能穿透硅片(1)，其波长大于或等于lum，功率为1 10w，光脉冲功率为0. 5 5J/cm2，频率为1 IOOkHZ或连续性，光斑直径为50 200 μ m。3.根据权利要求1所述的硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其特征在于步骤i中加热温度为550 650°C。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的硅太阳能电池金属半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：单文光，黄华松，曹楚辉，陆昱，谢正芳，杨雪，张蓝月，李良，高彦秋，吴立望，刘为举，
申请(专利权)人：杨雪，
类型：发明
国别省市：32