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本发明涉及一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，步骤如下：a、将硅片清洗制绒；b、扩散；c、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片正面镀减反膜；e、在硅片正面制作金属电极；f、用激光从硅片反面照射金属电极；g、在硅片反面制作背面电极；h、加...
该专利属于杨雪所有，仅供学习研究参考，未经过杨雪授权不得商用。

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