【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料领域，特别是。
技术介绍
金刚石膜具有高硬度，高热导率，高化学稳定性等独特的物理化学性质，使其在许多领域受到广泛的关注[1]。如今主要是利用CVD法来实现对金刚石膜的沉积，其主要方法有热丝化学气相沉积(HFCVD)[2]，燃烧火焰法[3]，直流电弧等离子体炬法M，微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)[5]等。HFCVD法可以以较高的速度沉积金刚石膜，但金刚石膜质量往往因含有杂质而受到影响；燃烧火焰法在以较高的速率沉积金刚石膜时，对金刚石膜表面形貌却难以控制； 直流等离子体炬法能以较高的速度沉积出质量较高的金刚石膜，但需要消耗很大的能量。 在制备高质量金刚石膜的各种方法中，MPCVD法具有无极放电，功率大，沉积质量好等优点， 但沉积速率却有待提高。V. Ralchenko等人发现反应气体流量对MPCVD金刚石膜的生长有很大的影响[6]。参考文献1.满卫东，汪建华，王传新等.金刚石薄膜的性质，制备及应用[J].新型炭材料· 2002. 17(1) 62-70.2. S. K. Sarangi , A. Chattopadhyay, A. K. ...
【技术保护点】
１．一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法，其特征在于它包括如下步骤：１）基片台系统的组装：基片台系统包括带有水冷冷却系统（１）的不锈钢基片台（２）、陶瓷棒（３）、石英半环（４）、真空腔体、微波源、波导通道（１１）；真空腔体上设有装卸门（１０）、通气气路接头（７）、抽气气路接头（９）、观察窗（６）、进水管孔、出水管孔；水冷冷却系统（１）的进水管穿过进水管孔，水冷冷却系统（１）的出水管穿过出水管孔，通气气路接头（７）、装卸门（１０）、观察窗（６）位于真空腔体的上部，通气气路接头（７）位于装卸门（１０）、观察窗（６）的上方，抽气气路接头（９）位于真空腔体的底部，通气气路接头（...
【技术特征摘要】
1.一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法，其特征在于它包括如下步骤1)基片台系统的组装基片台系统包括带有水冷冷却系统(1)的不锈钢基片台(2)、陶瓷棒⑶、石英半环⑷、真空腔体、微波源、波导通道(11)；真空腔体上设有装卸门(10)、通气气路接头(7)、抽气气路接头(9)、观察窗(6)、进水管孔、出水管孔；水冷冷却系统(1)的进水管穿过进水管孔，水冷冷却系统(1)的出水管穿过出水管孔，通气气路接头(7)、装卸门(10)、观察窗(6)位于真空腔体的上部，通气气路接头(7)位于装卸门(10)、观察窗(6) 的上方，抽气气路接头(9)位于真空腔体的底部，通气气路接头(7)、抽气气路接头(9)分别与真空腔体内的真空腔相通，通气气路接头(7)由通气管道与气源相连通，通气管道上设有控制阀，抽气气路接头(9)由抽气管道与抽气装置相连通，抽气管道上设有控制阀；真空腔体的上端口由波导通道(11)与微波源相连；不锈钢基片台(2)放置在真空腔体内的底部并位于中央，陶瓷棒(3)至少为4个，陶瓷棒(3)放置在真空腔体内并位于不锈钢基片台 (2)的四周，2个石英半环(4)位于真空腔体内并且放置在陶瓷棒(3)上，2个石英半环位于不锈钢基片台(2)外，2个石英半环(4)构成一个石英环；2)通过装卸门将基片(5)放置在不锈钢基片台(2)的上端面上；在含碳气体的气氛下，用微波放电的方式，在低气压下将在基片(5)上方高聚集的含碳气源激发产生等离子体，并在基片(5)上方形成等离子体密度高且稳定的等离子体球， 从而达到提高化学气相沉积金刚石膜速率的目的；3)基片台系统的拆卸金刚石膜沉积结束后，使基片台系统在真空环境下冷却，然后调节真空腔体的真空腔内的气压至常压，通过装卸门(10)取出基片(5)后，将2个石英半环(4)取出，然后将放陶瓷棒⑶取出，最后对真空腔体的真空腔抽真空至10_3-10_4kPa。2.根据权利要求1所述的一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法，其特征在于所述的石英环的上端面与不锈钢基片台(2)的上端面位于同一水平面上，不锈钢基片台(2)与石英环之间的间隙为10-20mm。3.根据权利要求1所述的一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法，其特征在于所述的基...
【专利技术属性】
技术研发人员：满卫东，汪建华，翁俊，吕继磊，朱金凤，吴飞飞，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：83
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