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本发明涉及材料领域，特别是一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法。一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)基片台系统的组装，基片台系统包括带有水冷冷却系统的不锈钢基片台、陶瓷棒、石英半环、真空腔体、微波源、...
该专利属于武汉工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉工程大学授权不得商用。

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