【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置制造方法和显示装置。
技术介绍
已存在一种具有阵列基板和滤色器基板的显示装置。在此情况下，在阵列基板中， 在透明基板上以阵列形式形成有多个诸如薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)等晶体管。此外，滤色器基板层叠在阵列基板的上方，且在滤色器基板与阵列基板之间有液晶层，并且滤色器基板的滤色器形成在透明基板上。在该显示装置中，为了确保形成液晶层用的空间的目的，在阵列基板与滤色器基板之间设置有多个隔离件。因为在该多个隔离件所存在的区域中没有形成液晶层，所以就有一种可能性透过隔离件而传输的光通常会漏出从而减小了对比度。为此，在阵列基板中，在与设置有隔离件的区域相对应的区域中形成有用于遮光的遮光图形。然而，在此结构中，需要在阵列基板中新设置有形成该遮光图形用的区域。因此，像素中的透光区域即开口区域有所减小。总之，像素的开口率(aperture ratio)减小了。另一方面，已知一种用于将隔离件设置在阵列基板的形成有TFT的区域上方的技术。由于TFT具有能够遮光的金属图形，因而TFT兼用作遮光区域。为此，将隔离件设置在形成有T...
【技术保护点】
１．一种显示装置制造方法，所述方法包括如下步骤：在第一透明基板的表面上方形成正型光致抗蚀剂，所述第一透明基板设有形成在所述第一透明基板的所述表面上的晶体管，所述正型光致抗蚀剂覆盖所述晶体管；将光从所述第一透明基板的背面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，对所述正型光致抗蚀剂进行曝光；对这样曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下位于所述晶体管上方的所述正型光致抗蚀剂，由此形成隔离件；以及在所述第一透明基板的所述表面上方层叠第二透明基板，且所述隔离件位于所述第一透明基板与所述第二透明基板之间。
【技术特征摘要】
2010.05.17 JP 2010-1129971.一种显示装置制造方法，所述方法包括如下步骤在第一透明基板的表面上方形成正型光致抗蚀剂，所述第一透明基板设有形成在所述第一透明基板的所述表面上的晶体管，所述正型光致抗蚀剂覆盖所述晶体管；将光从所述第一透明基板的背面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，对所述正型光致抗蚀剂进行曝光；对这样曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下位于所述晶体管上方的所述正型光致抗蚀剂，由此形成隔离件；以及在所述第一透明基板的所述表面上方层叠第二透明基板，且所述隔离件位于所述第一透明基板与所述第二透明基板之间。2.如权利要求1所述的显示装置制造方法，还包括如下步骤将光从所述第一透明基板的所述表面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，对所述正型光致抗蚀剂选择性地进行曝光。3.如权利要求2所述的显示装置制造方法，其中，所述第一透明基板的所述表面上形成有具有遮光性能的遮光图形，将所述正型光致抗蚀剂形成得覆盖所述晶体管和所述遮光图形，并且对曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下分别位于所述晶体管和所述遮光图形上方的所述正型光致抗蚀剂，由此分别形成所述隔离件和定向核。4.如权利要求3所述的显示装置制造方法，还包括如下步骤 对位于所述遮光图形上方的所述正型光致抗蚀剂进行半...
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