【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体结构与其制造方法,且特别是有关于一种。
技术介绍
受到提升工艺速度及尺寸缩小化的需求半导体封装件的构造及工艺变得甚复杂。 当工艺速度的提升及小尺寸的效益明显增加时,半导体封装件的特性也出现问题。特别是指,较高的工作频率(clock speed)造成信号电平(signal level)之间更频繁的转态 (transition),因而导致在高频或短波的情况下较高强度的电磁放射(electromagnetic emission) 0电磁放射可以从半导体封装件及邻近的半导体封装件开始辐射。假如邻近半导体封装件的电磁放射的强度较高,此电磁放射负面地影响半导体组件的运作,若整个电子系统内具有高密度分布的半导体组件,则半导体组件之间的电磁干扰更显严重。已知技术形成防电磁干扰层以减少电磁干扰的影响,然而此技术却存有电性问题待解决。
技术实现思路
本专利技术有关于一种半导体结构及其制造方法,且特别是有关于一种。根据本专利技术的一方面,提出一种半导体结构。半导体结构包括一基板单元、一半导体组件、一导电性接脚、一封装体及一防电磁干扰膜。基板单元具有一接地端、一 ...
【技术保护点】
1.一种半导体结构,包括:一基板单元,具有一接地端、一上表面及一下表面;一半导体组件,设置于邻近该基板单元的该上表面;一导电性接脚,设置于邻近该基板单元的该上表面;一封装体,包覆该半导体组件且具有一第一封装上表面、一第二封装上表面及一第一封装侧面,该第一封装上表面实质上平行于该第二封装上表面,且该第一封装侧面连接该第一封装上表面与该第二封装上表面;以及一防电磁干扰膜,包括一上部、一侧部及一支部,该上部覆盖该第一封装上表面,该侧部覆盖该第一封装侧面,而该支部覆盖该第二封装上表面;其中,该导电性接脚连接该基板单元的该接地端与该防电磁干扰膜的该侧部。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖国宪,陈子康,史馥毓,陈建成,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71
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