使用工艺气的共形屏蔽工艺制造技术

在一个实施例中，在衬底上形成具有针对两个或两个以上模块的电路的元模块，其中所述衬底优选地为层压衬底。所述不同模块的电路最初被形成在单个元模块上。每个模块都将具有一个或多个其中形成有电路的部件区域。针对每个将被屏蔽的部件，在该衬底上或者在该衬底中形成金属结构。然后，单个本体、比如包覆成型本体被形成在该元模块上的所有模块上之上。然后，通过切割、钻孔等等操作使每个将被屏蔽的部件区域的金属结构的至少一部分穿过该本体而暴露。接着，电磁屏蔽材料被应用于每个将被屏蔽的部件区域的本体的外表面，并且接触所述金属结构的暴露部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及提供用于半导体模块的屏蔽体，其中所述屏蔽体与所述半导体模块集 成在一起。
技术介绍
在现代社会中，电子部件已经变得无处不在。电子行业例行地宣布加速的计时速 度、更高的传输频率、以及更小的集成电路模块。尽管这些器件的益处是不计其数的，但是 运行在较高频率的较小电子部件也会产生问题。较高的工作频率意味着较短的波长，其中 电子电路内的较短的导电元件可能充当不经意地散播整个电磁频谱范围内的电磁辐射的 天线。如果辐射的信号强度足够高，则所述辐射可能干扰受到所述辐射的电子部件的运行。 另外，联邦通讯委员会(FCC)以及其它管理机构对这些辐射作出规定，并且因此这些辐射 必需被保持在监管要求的范围内。一种减少辐射的方式是环绕导致辐射或者对辐射灵敏的模块形成屏蔽物。通常， 由覆盖模块或其一部分的接地导电结构来形成屏蔽物。当来自屏蔽物内的电子部件的辐射 碰到该屏蔽物的内表面时，所述电磁辐射通过形成该屏蔽物的接地导电材料而被电短路， 由此减少辐射。同样，当来自屏蔽物之外的外部辐射碰到该屏蔽物的外表面时，发生类似的 电短路，并且该模块上的电子部件并不经历所述辐射。然而，随着模块不断由于小型化而变得更小，创建物质上不增加模块尺寸的有效 屏蔽物变得越来越困难。因此，存在针对一种如下屏蔽物的需要其大规模制造起来成本 低，基本不改变模块的尺寸，并且有效地处理由不希望的电磁辐射所引起的干扰。
技术实现思路
本专利技术可以用于形成给定模块的相应部件区域的一个或多个屏蔽物。在一个实施 例中，在衬底上形成具有针对两个或两个以上模块的电路的元模块，其中所述衬底优选地 为层压衬底。因此，所述不同模块的电路最初被形成在单个元模块上。每个模块都将具有 一个或多个其中形成有电路的部件区域。针对该衬底上的每个将被屏蔽的部件，在该衬底 上或者在该衬底中形成金属结构。在一个实施例中，每个金属结构环绕每个将被屏蔽的部 件区域的外围的全部或一部分延伸。然后，单个本体(body)、比如包覆成型(overmold)本 体被形成在该元模块上的所有模块之上。在该本体被形成以后，通过切割、钻孔等等操作 使每个将被屏蔽的部件区域的金属结构的至少一部分穿过该本体而暴露。接着，电磁屏蔽 材料被应用于每个将被屏蔽的部件区域的本体的外表面，并且接触所述金属结构的暴露部 分。然后，所述模块被彼此分离以形成单独的模块，其中所述单独的模块的每个都具有一个 或多个被整体屏蔽的部件区域。本领域的技术人员在结合附图阅读了下面对优选实施例的详细描述以后能够理解本专利技术的范围，并且认识到本专利技术的附加方面。附图说明被并入并且形成本说明书一部分的附图示出了本专利技术的若干方面，并且与描述一 起用于解释本专利技术的原理。图IA示出了根据本专利技术例子的具有被包覆成型本体覆盖的一个子模块的模块。图IB示出了根据本专利技术一个实施例的图IA的其中配备有集成电磁屏蔽物模块的 截面。图2A示出了根据本专利技术例子的具有两个由包覆成型本体覆盖的子模块的模块。图2B示出了根据本专利技术一个实施例的图2A的其中配备有集成电磁屏蔽物模块的 截面。图3A示出了具有若干根据图IA和IB所示实施例的电子子模块部件的叠层结构。图3B示出了根据图3A所示实施例的子模块，其中所述子模块具有被定位在具有 暴露的金属层栅格的叠层上的部件区域。图4A示出了具有若干根据图2A和2B所示实施例的电子子模块部件区域的叠层 结构。图4B示出了根据图4A所示实施例的子模块，其中所述子模块具有被定位在叠层 上、暴露的金属层栅格内的部件区域。图5示出了根据本专利技术一个实施例的一条元模块。图6是根据本专利技术一个实施例的元模块的截面图。图7示出了根据本专利技术一个实施例的在提供了切割和钻孔操作以暴露外围金属 结构的环绕每个部件区域的部分以后的一条图5的元模块。图8A示出了图6的具有所示的用于创建图IA和IB所示的类似模块的分离线的 部分元模块的顶视图。图8B示出了图6的具有所示的用于创建图2A和2B所示的类似模块的分离线的 部分元模块的顶视图。图9是示出了根据本专利技术第一实施例的制造工艺的流程图。图10示出了根据图9的实施例所构造的示例性模块。图11是示出了根据本专利技术第二实施例的制造工艺的流程图。图12示出了根据图11的实施例所构造的示例性模块。图13A和13B示出了将根据本专利技术一个实施例而被屏蔽的隔离的部件区域。图14A至14D示出了根据本专利技术一个实施例的用于在给定模块上提供被隔离的电磁屏蔽物的工艺。图15A至15F示出了根据本专利技术一个实施例的使用细划片(sub-dicing)或类似 机械切割工艺以提供集成电磁屏蔽物的工艺。图16A至16D示出了根据本专利技术一个实施例的使用激光切割工艺以提供集成电磁 屏蔽物的工艺。图17A至17D示出了根据本专利技术一个实施例的使用机械或激光钻孔工艺以提供集 成电磁屏蔽物的工艺。图18A至18F示出了根据本专利技术一个实施例的使用成型模子以提供集成电磁屏蔽 物的工艺。图19示出了根据本专利技术的一个实施例的元模块，其中没有支承结构在切穿包覆 成型本体的开口之下。图20示出了根据本专利技术的一个实施例的元模块，其中存在支承结构在切穿包覆 成型本体的开口之下。图21示出了包括支承结构(比如图20中所提供的支承结构)的叠层的底面。图22示出了根据本专利技术一个实施例的上面形成有密封环结构的叠层的底面。图23示出了根据本专利技术的元模块的侧视图，其中密封环结构被配备在上面形成 该元模块的叠层的底面上。图24A至24E示出了根据本专利技术一个实施例的用于提供集成电磁屏蔽物的工艺， 其中使用镀工艺来部分建立金属层栅格。图25A至25E示出了根据本专利技术一个实施例的用于提供集成电磁屏蔽物的工艺， 其中使用表面安装结构来部分建立金属层栅格。图26A至26D示出了根据本专利技术另一实施例的用于提供集成电磁屏蔽物的工艺， 其中使用表面安装结构来部分建立金属层栅格。图27A至27C示出了根据本专利技术的选择实施例的用于表面安装结构的不同配置。图28A示出了根据本专利技术一个实施例的由处于衬底的顶面上的金属桩构成的金 属层栅格。图28B示出了根据本专利技术一个实施例的由处于衬底的顶表面上的金属迹线上的 金属桩构成的金属层栅格。图29A示出了根据本专利技术的一个实施例的其中提供有集成电磁屏蔽物的模块的 截面。图29B至29D示出了根据本专利技术的一个实施例的不同模块的截面，在所述模块中， 集成电磁屏蔽物还被配置为充当热路或者热沉。图30A和30B分别是根据本专利技术的一个实施例的模块的截面图和顶视图，其中该模块包括与集成电磁屏蔽物相关联的场屏障结构。 具体实施例方式下面所述的实施例表示为了使本领域的技术人员能够实施本专利技术所需的信息，并 且示出了实施本专利技术的最佳模式。在根据附图阅读了下面的描述以后，本领域的技术人员 将理解本专利技术的概念，并且将认识到对这些概念的未在此专门讲述的应用。应当理解，这些 概念和应用落入本公开以及所附权利要求书的范围内。本专利技术可以用于形成给定模块的相应部件区域的一个或多个屏蔽物。在一个实施 例中，在衬底上形成具有针对两个或两个以上模块的电路的元模块，其中所述衬底优选地 为层压衬底。因此，针对所述不同模块的电路最初被形成在单个元模块上。每个模块都将 具有一个或多个其中形成有电路的部件区域。针对该衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造模块的方法，包括：.提供电子元模块，所述电子元模块包括：衬底、该衬底的表面上的用于多个模块的多个部件区域、以及覆盖所述多个部件区域的介电材料构成的本体，其中所述多个部件区域的某些部件区域与被该本体所覆盖的金属结构相关联；.使与所述某些部件区域相关联的金属结构的至少一部分穿过该本体而暴露以提供多个暴露的金属结构；.使该本体的外表面暴露于反应工艺气以清洗该本体的外表面；以及.将电磁屏蔽材料应用在所述某些部件区域的每个的本体的外表面的至少一部分之上以及所述多个暴露的金属结构上以在所述某些部件区域之上形成电磁屏蔽物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DJ利希，WR小沃伦，S帕克，
申请(专利权)人：射频小型装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]