【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及。
技术介绍
以往，通过化学蚀刻对使用于半导体、液晶等的基板表面进行处理时一般广泛采用蚀刻酸，其为氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混酸，并以HF、H2S04、HN03、CH3COOH及H3PO4等为主成分。采用此种蚀刻酸所制造的液晶显示装置中，驱动规定像素的扫描线路及信号线路大多是由积层膜等形成，该积层膜则是使用钼(Mo)的单层膜或以钼为主成分的合金膜(所谓的盖层及屏障层)来覆盖下列膜而成钼的单层膜；以钼为主成分并以钛(Ti)、铬(Cr)、 镍(Ni)、锆{Ir) M (Nb)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)等为添加元素的合金膜；或铝(Al)的单层膜；以铝为主成分并以硼(B)、碳(C)、镁(Mg)、硅(Si)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、 钇(Y)、锆(Zr),IE (Pd)、银(Ag)、镧(La)、铺(Ce)、铌(Nb)、钽(Ta)等为添加元素的合金膜。采用该蚀刻酸进行蚀刻工序后所排放的蚀刻废液会对人体或环境造成不良影响， 因而对蚀刻废液的排放定有严格的排放标准。因此，以往一般进行以下处理对从固形物分离得到的滤液进行离子交...
【技术保护点】
１．一种蚀刻酸废液处理系统，其特征在于，具有将蚀刻酸废液再生为再生蚀刻酸的再生装置，并将使用该再生装置而再生的该蚀刻酸循环再利用于蚀刻中，其中该蚀刻酸废液是将蚀刻酸使用于蚀刻后排放的废液。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：氷见·英树，普察拉帕里·瑞迪·史林瓦苏鲁，安部·正泰，矶·明典，
申请(专利权)人：环保股份有限公司，芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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