【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基于标准CMOS (互补金属氧化物半导体)工艺和MEMS (微电子机械系统)后处理技术的相对湿度传感器，尤其是一种采用氧化石墨烯作为湿度敏感介质的电容式相对湿度传感器。
技术介绍
湿度传感器在军事、气象、农业、工业控制、医疗器械等许多领域有着广泛的应用。 在过去的几十年里，有许多针对电容式、电阻式、压阻式、光学式等类型湿度传感器的研究。 在商用领域中，电容式湿度传感器应用最为广泛，这是因为电容式湿度传感器灵敏度高、功耗小、制造成本低。用标准CMOS工艺加工出来的湿度传感器具有体积小、价格低、产品一致性好等优点，是近几年来湿度传感器研究的热点。而且，利用标准CMOS工艺容易将湿度传感器和检测电路单片集成，这样可以提高湿度检测系统的稳定性和抗干扰能力。2004年，中国人顾磊提出了一种利用CMOS工艺制作的电容式相对湿度传感器，该湿度传感器的敏感单元为平铺梳齿电容结构，将梳状多晶硅加热电阻置于梳齿状电极的下方，相邻电极之间填充湿度敏感介质，采用聚酰亚胺作为湿度敏感介质，这种电容式湿度传感器的电容主要由梳齿状电极侧壁面积决定，由于利用CMOS工艺加工传感器...
【技术保护点】
１．一种基于氧化石墨烯的电容式相对湿度传感器，其特征在于：该湿度传感器包括衬底（１）、自衬底（１）向上依次设置在衬底（１）上的氧化层（２）、加热条（３）、绝缘层（４），该湿度传感器还包括第一电容电极（５）、第二电容电极（６）、钝化层（７）和湿度敏感介质（８），第一电容电极（５）、第二电容电极（６）分别设在绝缘层（４）上，在第一电容电极（５）和第二电容电极（６）上分别设有钝化层（７），湿度敏感介质（８）设在第一电容电极（５）和第二电容电极（６）之间，湿度敏感介质（８）还设在第一电容电极（５）和第二电容电极（６）上方，钝化层（７）位于第一电容电极（５）与湿度敏感介质（８）之间以...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵成龙，黄庆安，秦明，毕恒昌，尹奎波，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84
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