产生用于材料处理的脉冲列的方法和系统技术方案

本发明专利技术提供产生用于材料处理的激光脉冲列的系统和方法。在一个实施例中，从连续波(CW)或准CW激光束产生高重复率的稳定激光脉冲列。所述激光脉冲列中的一个或一个以上激光脉冲可经整形以控制递送到目标材料的能量。在另一实施例中，多个激光束从单一激光脉冲、CW激光束或准CW激光束分配到多个处理头。在一个此类实施例中，单一光偏转器在各别处理头之间分配多个激光束。

【技术实现步骤摘要】
产生用于材料处理的脉冲列的方法和系统本申请是原申请的申请日为2007年12月7日，申请号为200780050430.2，专利技术名称为《产生用于材料处理的脉冲列的方法和系统》的中国专利申请的分案申请。
本专利技术大体涉及激光处理。明确地说，本专利技术涉及以高脉冲重复频率产生一列稳定的整形脉冲，并将激光束从单一激光源递送到多个处理头。
技术介绍
可使用各种激光对多种不同类型的工件实行激光处理以实现多种工艺。激光可用于形成(例如)单层或多层工件中的孔和/或盲通路。半导体晶片处理可包含各种类型的激光微机械处理，包含(例如)划线、切割、钻孔、移除半导体连结(熔丝)、热退火，和/或修整钝性厚或薄膜组件。常规激光钻孔或划线技术包含(例如)使用波长在远红外范围内的CO2激光。然而，此类激光通常可需要高能量来烧蚀一些集成电路(IC)处理材料。此外，此类处理技术通常使用长脉冲，脉冲中的缓慢上升和下降定时长达约50微秒。因此，长脉冲可允许过多热量扩散，从而导致受热影响区、重铸氧化物层、过多碎片、碎屑和破裂。此外，脉冲化的CO2激光通常倾向于具有高量值的脉冲间能量不稳定性，这可能不利地影响处理质量的一致性本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种系统，其包括：用于产生ＣＷ或准ＣＷ激光束的激光源；透过瞬时地分割部分的所述ＣＷ或准ＣＷ激光束而与用于产生激光脉冲列的激光源分离并位于其外部的调制器，所述调制器选择性地调制在所述激光脉冲列的中的脉冲之间的ＣＷ分量；以及用于将所述激光脉冲列导向材料的目标位置的构件。

【技术特征摘要】
2007.01.26 US 60/886,881;2007.12.03 US 11/949,5341.一种用于使用多个激光束处理材料的激光处理系统，其包括：用于产生CW或准CW激光束的激光源；与所述激光源分离并位于其外部的声光调制器,其中所述声光调制器瞬时切削透过所述激光源所产生的所述CW或准CW激光束而产生第一激光脉冲列和第二激光脉冲列，所述声光调制器选择性地调整在所述第一激光脉冲列和所述第二激光脉冲列中的脉冲之间的CW分量；以及用于将所述第一激光脉冲列和所述第二激光脉冲列导向材料的目标位置的构件,其中所述声光调制器进一步配置成选择性地整形在所述第一激光脉冲列或所述第二激光脉冲列中的一个以上激光脉冲，以控制施加到所述材料的目标位置的激光能量的剂量，经选择的形状增加在所述激光能量和所述材料的所述目标位置之间的耦合效率。2.一种用于使用多个激光束处理材料的激光处理系统，所述系统包括：第一处理头，其经配置以用第一激光脉冲列照明目标材料的第一位置；第二处理头，其经配置以用第二激光脉冲列照明所述目标材料的第二位置；激光源，其经配置以产生激光束；以及光闸，其位于所述激光源外部并与其分离，且经配置以：从所述激光源接收所述激光束；将经接收的所述激光束的部分瞬时切削以同时产生所述第一激光脉冲列、所述第二激光脉冲列和所述激光束的第一剩余部分；选择性地整形至少所述第一激光脉冲列的一个以上激光脉冲，以控制施加到所述目标材料的激光能量的剂量，经选择的形状增加在所述激光能量和所述目标材料之间的耦合效率；将所述第一激光脉冲列导向所述第一处理头；将所述第二激光脉冲列导向所述第二处理头；以及将所述激光束的第一剩余部分输出。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述激光源包括连续波CW或准CW激光源。4.根据权利要求2所述的系统，其中所述光闸包括由第一射频RF信号和第二RF信号控制的第一声光调制器AOM，所述第一AOM经配置以基于所述第一RF信号的频率以第一角度偏转所述第一激光脉冲列，且基于所述第二RF信号的频率以第二角度偏转所述第二激光脉冲列。5.根据权利要求4所述的系统，其进一步包括：第三处理头，其经配置以用第三激光脉冲列照明所述目标材料的第三位置；第四处理头，其经配置以用第四激光脉冲列照明所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大迫康，松本久志，
申请(专利权)人：伊雷克托科学工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US