一种用于电子雷管的起爆电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于电子雷管的起爆电路,包括主机、全桥整流电路、通讯芯片U1、单片机U2、电压转换器、电阻R1、开关S1、电容C3、电阻R2、开关S2、起爆电阻R3和开关S3。本实用新型专利技术在起爆电阻R3的支路并联一条由电阻R2和开关S2组成的支路，以及在电阻R2的支路和起爆电阻R3的支路并联形成的电路上再串联一个电阻R1，均对起爆电阻R3起到了分流的作用，使流经起爆电阻R3的电流减少，也就减少了整个电子雷管误起爆的概率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电力电子
，具体涉及一种用于电子雷管的起爆电路。
技术介绍
电火工品是以电能为初始激发能量而引起火工品内部药剂燃烧或爆炸，根据电能引燃药剂的方式不同，有桥丝式、火花式等多种火工品，但最为常用的是桥丝式电火工品。其特点是发火能量小、瞬发性好、性能容易控制，在民爆行业中有大量使用。电子雷管采用的是桥丝式，其起爆的实质就是：将电能转化为热能、桥丝热能对药剂的传递和药剂的热爆炸(燃烧)，现有的电子雷管的起爆电路容易发生误起爆。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提供了一种用于电子雷管的起爆电路。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：本技术提供了一种用于电子雷管的起爆电路，包括主机、全桥整流电路、通讯芯片U1、单片机U2、电压转换器、电阻R1、开关S1、电容C3、电阻R2、开关S2、起爆电阻R3和开关S3；所述主机通过总线接线端J1与所述全桥整流电路电连接，所述全桥整流电路通过通讯芯片U1与所述单片机U2连接，所述全桥整流电路还通过所述电压转换器与所述单片机U2连接，所述电阻R1一端连接所述全桥整流 电路和所述通讯芯片U1的公共端，所述电阻R1的另一端连接开关S1的一端，所述电容C3单独为第一支路，所述电阻R2和所述开关S2串联组成第二支路，所述起爆电阻R3和所述开关S3组成第三支路，所述第一支路、第二支路和第三支路的一端均接地，另一端均连接所述开关S1的另一端。本技术的有益效果为：在起爆电阻R3的支路并联一条由R2和开关S2组成的支路，以及在电阻R2的支路和起爆电阻R3的支路并联形成的电路上再串联一个电阻R1，均对起爆电阻R3起到了分流的作用，使流经起爆电阻R3的电流减少，也就减少了整个电子雷管误起爆的概率。在上述技术方案的基础上，本技术还可以作如下改进。进一步的，所述开关S1包括一个PMOS场效应管、一个NMOS场效应管、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8，所述PMOS场效应管的栅极和源极分别接电阻R4的两端，所述PMOS场效应管的源极还与所述电阻R1连接，所述PMOS场效应管的漏极通过电阻R8与电容C3连接，所述NMOS场效应管的栅极通过电阻R7与所述单片机U2连接，所述NMOS场效应管的栅极通过电阻R6与NMOS场效应管的源极连接且接地，所述NMOS场效应管的漏极通过R5与所述PMOS场效应管的栅极连接。进一步的，所述电压转换器包括半波整流电路、低压差线性稳压器U3、电容C1和电容C2，所述半波整流电路包括二极管D5和二极管D6，所述二极管D5的阴极和二极管D6的阴极连接且连接低压差线性稳压器U3和电容C1，所述二极管D5的阳极连接所述通讯芯片U1的引脚1，所述二极管D6的阳极连接所述电容C3，所述低压差线性稳压器U3还连接电容C2。所述进一步的有益效果为：电压转换器将主机提供的电压转换为单片机工作所需的电压，适应电子雷管的工作电压。进一步的，所述低压差线性稳压器U3包括包括5个引脚，引脚1和引脚3分别连接电容C2的两端，引脚5连接所述电容C1的一端，电容C1的 另一端接地，引脚1还接地，引脚3与所述单片机U2的引脚1连接。所述进一步的有益效果为：使用低压差线性稳压器U3，使得整个电路的功耗低。进一步的，所述开关S2包括三极管Q1和电阻R9，所述三极管Q1的基极通过电阻R9接地，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的集电极通过电阻R2和电阻R8与PMOS场效应管的漏极连接。进一步的，所述开关S3包括三极管Q2和电阻R10，所述三极管Q2的基极通过电阻R10接地，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极通过电阻R10和电阻R8与PMOS场效应管的漏极连接。附图说明图1为本技术实施例1的一种用于电子雷管的起爆电路的连接框图；图2为起爆电路的具体电路连接示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。实施例1、一种用于电子雷管的起爆电路。参见图1，本实施例提供的起爆电路包括主机、全桥整流电路、通讯芯片U1、单片机U2、电压转换器、电阻R1、开关S1、电容C3、电阻R2、开关S2、起爆电阻R3和开关S3；所述主机通过总线接线端J1与所述全桥整流电路电连接，所述全桥整流电路通过通讯芯片U1与所述单片机U2连接，所述全桥整流电路还通过所述电压转换器与所述单片机U2连接，所述电阻R1一端连接所述全桥整流电路和所述通讯芯片U1的公共端，所述电阻R1 的另一端连接开关S1的一端，所述电容C3单独为第一支路，所述电阻R2和所述开关S2串联组成第二支路，所述起爆电阻R3和所述开关S3组成第三支路，所述第一支路、第二支路和第三支路的一端均接地，另一端均连接所述开关S1的另一端。其中，参见图2，所述全桥整流电路1由二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4组成，所述二极管D1的阳极与所述二极管D2的阳极连接且接地，所述二极管D3的阴极与所述二极管D4的阴极连接且与所述电压转换器2连接，所述二极管D1的阴极与所述二极管D3的阳极连接且与总线接线端J1的一个端口连接，所述二极管D2的阴极与所述二极管D4的阳极连接且与总线接线端J1的另一个端口连接。主机通过总线接线端J1发送的指令信号经过全桥整流电路1整流后通过通讯芯片U1的VIN引脚1输入，通过通讯芯片U1的RX引脚4输出给单片机U2的RXD端，当单片机U2接收到指令后，将应答信号通过单片机U2的TXD端口发送给通讯芯片U1的TX端，进而返回给主机。主机通过总线接线端J1提供的24V电压经过电压转换器2转换为3.3V，为单片机U2提供电压。所述通讯芯片U1包括VIN引脚1、GND引脚2、TX引脚3和RX引脚4，所述通讯芯片的引脚1连接在所述全桥整流电路1和所述电压转换器2之间，引脚2接地，引脚3和引脚4与所述单片机U2的对应引脚连接。所述单片机U2包括VCC引脚1、RXD引脚2、TXD引脚3、PA0引脚4、PA2引脚5、PA1引脚6、PA3引脚7和GND引脚8，所述单片机U2的引脚1接接所述电压转换器2，引脚2接所述通讯芯片U1的引脚4，引脚3接所述通讯芯片芯片U1的引脚3，引脚4接所述开关S1，引脚5接所述开关S3，引脚6接所述开关S2，引脚8接地。所述电压转换器2包括半波整流电路、低压差线性稳压器U3、电容C1和电容C2，所述半波整流电路有二极管D5和二极管D6组成，所述二极管 D5的阴极和二极管D6的阴极连接且连接低压差线性稳压器U3和电容C1，所述二极管D5的阳极连接所述通讯芯片U1的引脚1，所述二极管D6的阳极连接所述电容C3，所述低压差线性稳压器U3还连接电容C2。所述低压差线性稳压器U3包括包括5个引脚，引脚1和引脚3分别连接电容C2的两端，引脚5连接所述电容C1的一端，电容C1的另一端接地，引脚1还接地，引脚3与所述单片机U2的引脚1连接。所述开关S1包括一个PMOS场效应管、一个NMOS场效应管、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8，所述PMOS场效应管的栅极和源极分别接电阻R4的两端，所述PMOS场效应管的源极还与所述电阻R1连接，所述PMOS场效应管的漏极通过电阻R8与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电子雷管的起爆电路，其特征在于，包括主机、全桥整流电路、通讯芯片U1、单片机U2、电压转换器、电阻R1、开关S1、电容C3、电阻R2、开关S2、起爆电阻R3和开关S3；所述主机通过总线接线端J1与所述全桥整流电路电连接，所述全桥整流电路通过通讯芯片U1与所述单片机U2连接，所述全桥整流电路还通过所述电压转换器与所述单片机U2连接，所述电阻R1一端连接所述全桥整流电路和所述通讯芯片U1的公共端，所述电阻R1的另一端连接开关S1的一端，所述电容C3单独为第一支路，所述电阻R2和所述开关S2串联组成第二支路，所述起爆电阻R3和所述开关S3组成第三支路，所述第一支路、第二支路和第三支路的一端均接地，另一端均连接所述开关S1的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种用于电子雷管的起爆电路，其特征在于，包括主机、全桥整流电路、通讯芯片U1、单片机U2、电压转换器、电阻R1、开关S1、电容C3、电阻R2、开关S2、起爆电阻R3和开关S3；所述主机通过总线接线端J1与所述全桥整流电路电连接，所述全桥整流电路通过通讯芯片U1与所述单片机U2连接，所述全桥整流电路还通过所述电压转换器与所述单片机U2连接，所述电阻R1一端连接所述全桥整流电路和所述通讯芯片U1的公共端，所述电阻R1的另一端连接开关S1的一端，所述电容C3单独为第一支路，所述电阻R2和所述开关S2串联组成第二支路，所述起爆电阻R3和所述开关S3组成第三支路，所述第一支路、第二支路和第三支路的一端均接地，另一端均连接所述开关S1的另一端。2.如权利要求1所述的用于电子雷管的起爆电路，其特征在于，所述开关S1包括一个PMOS场效应管、一个NMOS场效应管、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8，所述PMOS场效应管的栅极和源极分别接电阻R4的两端，所述PMOS场效应管的源极还与所述电阻R1连接，所述PMOS场效应管的漏极通过电阻R8与电容C3连接，所述NMOS场效应管的栅极通过电阻R7与所述单片机U2连接，所述NMOS场效应管的栅极通过电阻R6与NMOS场效应管的源极连接且接地，所述NMOS场效应管的漏极通过R5...

【专利技术属性】
技术研发人员：管圣文，王志明，敬光慈，李泽雄，王中华，
申请(专利权)人：深圳炎泰丰华科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44