可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法技术

本发明专利技术公开了一种可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法：（1）预热：将待焊接铝合金与铝硅系钎料组装完毕后零件置于真空钎焊炉内，以8～10℃/S的升温速度加热至200～300℃，保温20-40min，真空度>5×10-2Pa；（2）破膜：以6～9℃/S的升温速度加热至530-550℃，保温20～40min，真空度>5×10-3Pa；（3）焊接：以小于5℃/S的升温速度加热至600～620℃，保温60～90min，真空度>3×10-3Pa；（4）冷却：焊接好的零件随炉降温至520-540℃，取出空冷至室温。通过控制真空钎焊的工艺参数大幅度减少甚至避免了硅偏聚现象的产生，提高了铝合金产品焊缝的组织均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铝合金的焊接
，特别是涉及一种。
技术介绍
随着现代工程机械的发展，采用真空钎焊工艺焊接铝合金散热器时对钎焊焊缝强度的要求越来越高。目前真空钎焊所用钎料中绝大部分为铝硅系钎料，焊缝中Si元素的大量偏聚极大的降低了焊缝强度，远远不能满足性能的要求。究其原因主要是因为对真空钎焊的认识不够深入，制定的工艺参数不合理，不能满足焊缝成型的要求，因而很难生产出高强度焊缝的散热器产品。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有真空焊接工艺参数不合理从而焊缝强度不高的缺陷，提供一种，由此，所得焊缝的组织均勻性得到大大提高。为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下的技术方案本专利技术，按如下步骤和参数进行真空焊接(1)预热将待焊接铝合金零件与铝硅系钎料组装完毕后置于真空钎焊炉内，以8 IO0C /S的升温速度加热至200 300°C，保温20-40min，真空度>5 X KT2Pa ；(2)破膜以6 9°C/S的升温速度加热至530-550°C，保温20 40min，真空度 >5 X KT3Pa ；(3)焊接以小于5°C/S的升温速度加热至600 620°C本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法，按如下步骤和参数进行真空焊接：（１）预热：将待焊接铝合金零件与铝硅系钎料组装完毕后置于真空钎焊炉炉内，以８～１０℃／Ｓ的升温速度加热至２００～３００℃，保温２０－４０ｍｉｎ，真空度）５×１０－２Ｐａ；（２）破膜：以６～９℃／Ｓ的升温速度加热至５３０－５５０℃，保温２０～４０ｍｉｎ，真空度）５×１０－３Ｐａ；（３）焊接：以小于５℃／Ｓ的升温速度加热至６００～６２０℃，保温６０～９０ｍｉｎ，真空度）３×１０－３Ｐａ；（４）冷却：焊接好的零件随炉降温至５２０－５４０℃，取出空冷至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵飞，陈召松，梁益龙，张占铃，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：发明
国别省市：52