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本发明公开了一种可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法：（1）预热：将待焊接铝合金与铝硅系钎料组装完毕后零件置于真空钎焊炉内，以8～10℃/S的升温速度加热至200～300℃，保温20-40min，真空度>5×10-2Pa；（2）破膜：以6～9℃...
该专利属于贵州大学所有，仅供学习研究参考，未经过贵州大学授权不得商用。

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