一种新型高效三结硅薄膜太阳电池制造技术

本发明专利技术公开了一种新型高效三结硅薄膜太阳电池，包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构，且所述电池的结构均为P/I/N型；所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底；所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层；本发明专利技术利用一种窄带隙可调(1.1eV-0.66eV)的低缺陷微晶硅锗薄膜，制备吸收系数高、光谱响应范围宽的微晶硅锗底电池，可大幅度增加对长波长太阳光的吸收，拓展太阳电池的光谱响应范围，更充分地提高太阳电池的吸收效率和光电转换效率，同时，降低了电池厚度，成为解决当前硅薄膜电池效率低，稳定性差等问题的重要途径，对引领本产业的发展，对本产业科技推动以及社会经济效益有着非常重要的意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高效三结硅薄膜太阳电池，尤其是涉及一种以微晶硅锗为底电池的新型高效三结硅薄膜太阳电池，属于薄膜太阳电池的

技术介绍
近年光伏产业的快速发展造成硅材料严重短缺，使原材料消耗相对较低的非晶硅电池得到快速发展。但是，与体硅电池相比，非晶硅薄膜电池的效率和稳定性还比较低，进一步的技术提升和产品换代迫在眉睫。非晶硅/微晶硅叠层电池以及非晶硅/微晶硅/微晶硅三结太阳电池的出现，在一定程度上解决了单结非晶硅太阳电池效率低、易衰退的弱点。然而，微晶硅材料吸收系数较低，在叠层电池结构中需要1微米以上的厚度才能满足对太阳光谱的充分吸收；尤其对于三结非晶硅/微晶硅/微晶硅太阳电池来说，要能达到电池的最佳匹配，微晶硅底电池厚度应在2 μ m以上，其总厚度大于4 μ m,这大大延长了电池的制备时间。此外，微晶硅材料带隙在1. IeV左右，小于这一能量的光子难以被吸收，造成一定的光损失。而太阳电池所利用的太阳光谱，它在可见光部分能量只有不到50%。要想提高电池的效率，把其光谱响应延伸到1. IeV以下是非常重要的，因为这包括了太阳光90%以上的能量。因此，在不增加电池总厚度的条件下本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构，且所述电池的结构均为Ｐ／Ｉ／Ｎ型；所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底；所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层；所述透明导电玻璃衬底为ＳｎＯ２或ＺｎＯ；所述透明导电薄膜为ＺｎＯ；所述金属层为Ａｌ或Ａｇ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙福河，罗培青，章昌台，高石崇，郑加镇，訾威，
申请(专利权)人：江苏百世德太阳能高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32