【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学传感器
，尤其涉及一种光学传感器内部成像器件结构。
技术介绍
光学传感器技术已经广泛应用于现代科技、国防和工农业等领域。其主要采用感光元件将探测到的光波信号转换成相应的电学信号，以供后继信号处理系统进行识别、处理。图1(a)所示为光学传感器内部单个成像器件结构示意图。每个成像器件包括控制栅极(Control Gate)CG、浮动栅极(Floating Gate)TO、源极S、漏极D与P型掺杂衬底 B，而衬底Β和浮动栅极re，以及浮动栅极re和控制栅极CG之间都采用氧化层隔离。图1(b)所示为第一种对单个成像器件进行成像操作的示意图。当成像器件受到光波辐射时，其衬底中将产生光电子，而光电子的数目与光辐射强度成正比。若在光波辐射成像器件前，将成像器件的源极S、漏极D以及衬底B接到参考电势Vref，将成像器件的控制栅极CG接相对于参考电势为VP的高频脉冲，成像器件衬底将进入深耗尽状态，在纵向电场的作用下，部分光电子会发生FN隧穿，到达浮动栅极re中，而发生隧穿的电子数量和光电子的数量成比例，也就和光波辐射强度成比例。根据以上原理就能将光波信号...
【技术保护点】
１．一种光学成像器件结构，其特征在于，该结构是由多个结构完全相同的成像器件构成的成像阵列，该多个成像器件被分为若干组，每一组中的成像器件具有相同的数目和相同的排列结构，且每组成像器件均包括一个参考单元和至少一个成像单元，该参考单元和成像单元是结构完全相同的成像器件，每组成像器件中的参考单元和成像单元相距近，工艺偏差小，在执行复位、成像、读取操作时受到的共模干扰相同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冀永辉，丁川，刘明，王琴，龙世兵，闫锋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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