过压保护电路制造技术

技术编号:6864047 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种过压保护电路,用来防止一供电电源提供过高的电压给一电子元件,所述过压保护电路包括一反馈电路和一输入过压保护电路,所述输入过压保护电路串接在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上,所述反馈电路监测输入给所述电子元件的输入电压,并根据所述输入电压的电压值控制所述输入过压保护电路的通断,从而控制所述供电电源是否给所述电子元件供电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护电路,尤指一种电脑主板上的过压保护电路
技术介绍
电脑主板上的供电电源的主要作用是为主板上的电子元器件提供稳定的工作电压。如果供电电源提供的电压过高就会造成主板的电子元件工作不正常,严重的还会导致主板的电子元件烧毁,因此为保证主板的电子元件的性能和使用寿命,对其进行过压保护显得尤为重要。目前大多数过压保护措施一般是通过供电电源发出相应的控制信号使主板断电, 或通过给供电电源断电使其停止工作的方式来进行过压保护,以上过压保护方式存在以下缺陷由于供电电源响应控制信号的速度较慢,另外如果供电电源的某一的电子元件被烧毁,则供电电源输出过高的供电电压仍会直接输入至主板的电子元件,造成主板的电子元件损坏,从而造成主板毁坏,若继续使用被毁坏的主板,还有可能烧掉处理器、内存等部件, 后果比较严重。
技术实现思路
鉴于上述内容,有必要提供一种可对主板的电子元件进行过压保护的保护电路。一种过压保护电路,用来防止一供电电源提供过高的电压给一电子元件,所述过压保护电路包括一反馈电路和一输入过压保护电路,所述输入过压保护电路串接在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上,所述反馈电路监测输入给所述电子元件的输入电压,并根据所述输入电压的电压值控制所述输入过压保护电路的通断,从而控制所述供电电源是否给所述电子元件供电。相较于现有技术,本专利技术的过压保护电路在电压过高时切断供电电源对所述电子元件的供电,对所述电子元件进行保护。附图说明图1是本专利技术过压保护电路的一实施例的框图。图2是图1的过压保护电路的电路图。图3是本专利技术过压保护电路的另一实施例的电路图。图4是本专利技术过压保护电路的又一实施例的电路图。主要元件符号说明权利要求1.一种过压保护电路,用来防止一供电电源提供过高的电压给一电子元件,其特征在于所述过压保护电路包括一反馈电路和一输入过压保护电路,所述输入过压保护电路串接在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上,所述反馈电路监测输入给所述电子元件的输入电压,并根据所述输入电压的电压值控制所述输入过压保护电路的通断,从而控制所述供电电源是否给所述电子元件供电。2.如权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于所述过压保护电路进一步包括一控制芯片和一输出过压保护电路,所述输出过压保护电路串接在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上,所述控制芯片监测所述供电电源输出的一输出电压,并根据所述输出电压的电压值控制所述输出过压保护电路的通断。3.如权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于所述输出过压保护电路包括一串联在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上的第一 PMOS场效应管,所述控制芯片包括一第一控制端,所述第一控制端连接到所述PMOS场效应管的栅极。4.如权利要求3所述的过压保护电路,其特征在于所述输出过压保护电路还包括一第二 PMOS场效应管和一 LC电路,所述控制芯片包括一第二控制端,所述第二控制端连接到所述第二 PMOS场效性管的栅极,所述第二 PMOS场效性管的漏极连接所述第一 PMOS场效应管的源极,所述第二 PMOS场效应管的源极接地,所述LC震荡电路的电感的一端连接所述第二 PMOS场效性管的漏极,所述电感的另一端连接所述LC震荡电路的电容的一侧,所述电容的另一侧接地,所述电感和电容之间的节点连接到所述输入电压。5.如权利要求4所述的过压保护电路,其特征在于所述控制芯片监测到所述输出电压过高时,所述第一控制端输出一高电平信号,所述第二控制段输出一低电平信号。6.如权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于所述反馈电路包括一比较器,所述比较器的正向输入端和反向输入端的其中之一连接到一参考电压,所述比较器的正向输入端和反向输入端的另一连接到所述输入电压,所述比较器的输出端连接到所述输入过压保护电路。7.如权利要求6所述的过压保护电路,其特征在于所述输入过压保护电路包括一串联在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上的第三PMOS场效应管,所述比较器的正向输入端连接所述参考电压,所述比较器的反向输入端连接所述输入电压,所述比较器的输出端通过一反向器连接到所述第三PMOS场效应管的栅极。8.如权利要求7所述的过压保护电路,其特征在于所述输入过压保护电路还包括一第四PMOS场效应管和一 LC电路,所述反向器的输出端连接所述第四PMOS场效性管的栅极,所述第四PMOS场效性管的漏极连接所述第三PMOS场效应管的源极,所述第四PMOS场效应管的源极接地,所述LC震荡电路的电感的一端连接所述第四PMOS场效性管的漏极,所述电感的另一端连接所述LC震荡电路的电容的一侧,所述电容的另一侧接地,所述电感和电容之间的节点连接到所述输入电压。9.如权利要求6所述的过压保护电路,其特征在于所述输入过压保护电路包括一串联在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上的NMOS场效应管,所述比较器的正向输入端连接所述输入电压,所述比较器的反向输入端连接所述参考电压,所述比较器的输出端通过一反向器连接到所述NMOS场效应管的栅极。全文摘要一种过压保护电路,用来防止一供电电源提供过高的电压给一电子元件,所述过压保护电路包括一反馈电路和一输入过压保护电路,所述输入过压保护电路串接在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上,所述反馈电路监测输入给所述电子元件的输入电压,并根据所述输入电压的电压值控制所述输入过压保护电路的通断,从而控制所述供电电源是否给所述电子元件供电。文档编号H02H3/20GK102201655SQ20101013068公开日2011年9月28日 申请日期2010年3月23日 优先权日2010年3月23日专利技术者叶家铭 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过压保护电路,用来防止一供电电源提供过高的电压给一电子元件,其特征在于:所述过压保护电路包括一反馈电路和一输入过压保护电路,所述输入过压保护电路串接在所述供电电源给所述电子元件供电的供电线路上,所述反馈电路监测输入给所述电子元件的输入电压,并根据所述输入电压的电压值控制所述输入过压保护电路的通断,从而控制所述供电电源是否给所述电子元件供电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:叶家铭
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:94

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1