浮动式电极积层陶瓷电容器制造技术

本实用新型专利技术为一种浮动式电极积层陶瓷电容器，包含多层第一陶瓷基材、多层第二陶瓷基材，以及连接各陶瓷基材的两外部电极；各第一陶瓷基材上形成两侧边电极及至少一独立的第一浮动电极，所述第一浮动电极具有一主体部及两相对的耦合部，主体部的宽度(W1)大于各耦合部的宽度(W2)，在各第二陶瓷基材上形成两相对的T形电极，所述T形电极具有一连接部及一延伸部；通过将主体部宽度(W1)控制为大于耦合部宽度(W2)，以及将耦合部面积控制为小于T形电极的延伸部，本实用新型专利技术可达成低等效串联电阻(ESR)、高耐电压、高自振频率(SRF)与提高电容值准确度的功效。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术关于一种积层陶瓷电容器，特别关于一种具有浮动式电极图案的积层陶瓷电容器。
技术介绍
积层陶瓷电容器一般是由多层介电陶瓷基材堆叠而成，在各层的陶瓷基材表面上，形成内电极图案，为达到特定电性目的，该内电极的图案具有多种不同设计。所谓浮动式电极积层陶瓷电容器，指在陶瓷基材上形成直接连接外电极的并联电极区与不连接外电极的串联电极区(即浮动电极区)，此种设计方式已广泛应用于提升电容值精准度及组件耐电压性。请参考图16及图17所示，为申请人的中国台湾公告第M379838号「积层陶瓷电容器」的新型专利，该积层陶瓷电容器的结构包含有多片交互堆叠的第一陶瓷基材60及第二陶瓷基材70，在各第一陶瓷基材60的表面形成两T字形电极62，两T字形电极62分别设于所在第一陶瓷基材60的两相对短边。各第二陶瓷基材70上形成两纵电极72及一横电极74，两纵电极72设于所在第二陶瓷基材70的两相对短边，且分别与两T字形电极62的投影局部重叠；横电极74设于两纵电极72之间，且未连接两纵电极72，形成一独立的浮动电极区域。前述结构的积层陶瓷电容，对于有效分散组件内部因高温烧结所造成的内应力、强化内电极与外电极的连接而降低能量的损失、降低耗散因数、提高质量因子等方面均有明显效果。然而对于其它电气特性，例如高耐电压、低电容值准确度及等效串联电阻(ESR)等方面，前述积层陶瓷电容器仍具有改善空间，以满足更多方面的应用。此外，在中国台湾公告第I283432、364129、M316483号等专利中，也披露了不同结构的电容器，但是此些电容器无法达到兼具高耐电压与低电容值准确度，同时降低等效串联电阻(ESR)等电气特性。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种浮动式电极积层陶瓷电容器，通过改变积层陶瓷电容器其内部电极图案，使内部电极经耦合后具有低等效串联电阻(ESR)、高耐电压、高自振频率与电容值准确度提高等特性。为达成前述目的，本技术的浮动式电极积层陶瓷电容器包含：多层第一陶瓷基材，各第一陶瓷基材上形成至少一第一浮动电极及两侧边电极，两侧边电极分别设在第一陶瓷基材的两相对短边，第一浮动电极介于两侧边电极之间而未与侧边电极连接；多层第二陶瓷基材，与所述第一陶瓷基材相互堆叠，各第二陶瓷基材上的两相对短边形成两T形电极，各T形电极具有一连接部及一延伸部，所述连接部的长边贴齐第二陶瓷基材的短边，各T形电极的延伸部与所述第一浮动电极的耦合部相耦合；-->两外电极，分设于所述堆叠的第一陶瓷基材及第二陶瓷基材的两相对短边，两外电极分别与位于同侧的侧边电极及T形电极电连接；其中，所述第一浮动电极包含一主体部及两耦合部，两耦合部从主体部的两相对侧缘向外一体延伸，两耦合部的宽度(W2)小于主体部的最大宽度(W1)；所述耦合部的宽度小于所述T形电极的延伸部的宽度。通过前述结构，本技术可达到下述功效：1.当增加第一陶瓷基材及第二陶瓷基材的堆叠层数，即提高耦合次数后，将因为电容等效串联而降低整体电容值，并增加组件的耐电压性。2.第一浮动电极的耦合部及T形电极的延伸部，两者宽度设计成一大一小，可使电容值变异量降低，在提供低电容值的前提下，具有较高的电容值准确率，增加制程合格率。3.由于第一浮动电极的耦合部及T形电极的延伸部设计成宽度不等，可缩小电场直接耦合的电极面积，达到降低电容值的目的，当电容值降低后，其自振频率(SRF)相对提高，使得本技术的电容器能适合在高频广泛运用。4.增加非电极耦合区宽度时(即提高第一浮动电极的主体部的宽度(W1)可明显降低组件本体的等效串联电阻(ESR)。附图说明图1为本技术第一实施例的立体分解图。图2为本技术第一实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材交替堆叠的示意图。图3为本技术第一实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材的平面示意图。图4为本技术第一实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材对应叠合后的示意图。图5为本技术第二实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材的平面示意图。图6为本技术第二实施例的堆叠示意图。图7为本技术第三实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材的平面示意图。图8为本技术第三实施例的堆叠示意图。图9为本技术第四实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材的平面示意图。图10为本技术第四实施例的堆叠示意图。图11为本技术第五实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材的平面示意图。图12为本技术第五实施例的堆叠示意图。图13为本技术第六实施例的第一陶瓷基材与第二陶瓷基材的平面示意图。图14为本技术第六实施例的堆叠示意图。图15为本技术与现有积层陶瓷电容器的等效串联电阻(ESR)比较曲线图。图16为现有积层陶瓷电容器的立体分解图。图17为现有积层陶瓷电容器的叠合示意图。具体实施方式-->请参考图1所示，为本技术第一实施例的立体分解图，包含：多层第一陶瓷基材10，各层第一陶瓷基材10的表面上形成两个侧边电极11及至少一第一浮动电极12a；两侧边电极11分别设置在第一陶瓷基材10的两相对短边，且各侧边电极11的一长边贴齐于第一陶瓷基材10的一短边；第一浮动电极12a位于两侧边电极11之间而未与侧边电极11相连，有关第一浮动电极12a的详细结构，将于稍后详细说明。多层第二陶瓷基材20，在本实施例中，与前述第一陶瓷基材10相互堆叠，其堆叠方式可根据设计而改变。同时参看图2所示，本实施例中的第二陶瓷基材20及第一陶瓷基材10穿插式的交替堆叠，但也可将数层第二陶瓷基材20先堆叠后再与数层第一陶瓷基材10一并堆叠；在各第二陶瓷基材20上的两相对短边分别形成两T形电极21，各T形电极21具有一连接部211及一延伸部212，连接部211的一长边贴齐第二陶瓷基材20的短边，延伸部212由连接部211的另一长边朝第二陶瓷基材20中心延伸。两外电极30分设于该些堆叠的第一陶瓷基材10及第二陶瓷基材20的两相对短边，并分别与位于同侧的侧边电极11及T形电极21电连接。请参考图3所示，前述第一浮动电极12a包含一主体部120a及两耦合部122a，两耦合部120a由主体部120a的两相对侧缘向外一体延伸，为明确显示两耦合部122a，在图面上以假想线区分出耦合部122a及主体部120a。两耦合部122a的宽度(W2)小于主体部120a的最大宽度(W1)，前述宽度(W1)、(W2)是沿着第一陶瓷基材10的短边方向延伸而测量得出。此外，耦合部120a的宽度(W1)小于T形电极21的延伸部212的宽度(W3)。请参考图4所示，当第一陶瓷基材10与第二陶瓷基材20叠合后，可看出第一浮动电极12a的主体部120a无对应直接耦合的区域，而第一陶瓷基材10的侧边电极11与第二陶瓷基材20上的T形电极21的连接部211对应直接耦合，第一浮动电极12a的耦合部122a另与T形电极21的延伸部212耦合，由于耦合部122a的宽度小于T形电极21的延伸部211，从而可缩小电场直接耦合的面积，且第一浮动电极12a两端皆有耦合部122a，可与T形电极21的延伸部211形成电容串联的效果以降低电容值。本技术在第一陶瓷基材10上的第一浮动电极12a的主体部120a为矩形，而两相对边的耦合部122a也为矩形。但第一浮动电极12本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种浮动式电极积层陶瓷电容器，其特征在于，包含：多层第一陶瓷基材，各第一陶瓷基材上形成至少一第一浮动电极及两侧边电极，两侧边电极分别设在第一陶瓷基材的两相对短边，第一浮动电极介于两侧边电极之间而未与侧边电极连接；多层第二陶瓷基材，与所述第一陶瓷基材相互堆叠，各第二陶瓷基材上的两相对短边形成两Ｔ形电极，各Ｔ形电极具有一连接部及一延伸部，所述连接部的长边贴齐第二陶瓷基材的短边，所述延伸部与第一浮动电极的耦合部相互耦合；两外电极，分设于所述堆叠的第一陶瓷基材及第二陶瓷基材的两相对短边，两外电极分别与位于同侧的侧边电极及Ｔ形电极电连接；其中，所述第一浮动电极包含一主体部及两耦合部，两耦合部从主体部的两相对侧缘向外延伸，两耦合部的宽度（Ｗ２）小于主体部的最大宽度（Ｗ１）；所述耦合部的宽度小于所述Ｔ形电极的延伸部的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种浮动式电极积层陶瓷电容器，其特征在于，包含：多层第一陶瓷基材，各第一陶瓷基材上形成至少一第一浮动电极及两侧边电极，两侧边电极分别设在第一陶瓷基材的两相对短边，第一浮动电极介于两侧边电极之间而未与侧边电极连接；多层第二陶瓷基材，与所述第一陶瓷基材相互堆叠，各第二陶瓷基材上的两相对短边形成两T形电极，各T形电极具有一连接部及一延伸部，所述连接部的长边贴齐第二陶瓷基材的短边，所述延伸部与第一浮动电极的耦合部相互耦合；两外电极，分设于所述堆叠的第一陶瓷基材及第二陶瓷基材的两相对短边，两外电极分别与位于同侧的侧边电极及T形电极电连接；其中，所述第一浮动电极包含一主体部及两耦合部，两耦合部从主体部的两相对侧缘向外延伸，两耦合部的宽度(W2)小于主体部的最大宽度(W1)；所述耦合部的宽度小于所述T形电极的延伸部的宽度。2.如权利要求1所述的浮动式电极积层陶瓷电容器，其特征在于：所述各第一陶瓷基材上在两侧边电极之间具有多个间隔排列的第一浮动电极；所述各第二陶瓷基材上在两T形电极之间具有多个间隔排列的第二浮动电极，其中：最外侧的第一浮动电极，对应耦合于T形电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯正淳，任云怀，王正文，朱立文，庄朝栋，
申请(专利权)人：华新科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71