一种电容触摸屏电极制作方法技术

本发明专利技术涉及一种电容触摸屏电极制作方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、在基板上镀ITO薄膜层；(2)、在ITO薄膜层上镀金属层；(3)、金属层上涂布光刻胶；(4)、对光刻胶曝光；(5)、对光刻胶显影并硬化；(6)、蚀刻金属层；(7)、去除光刻胶；(8)、涂布二次光刻胶，将蚀刻的金属层以及ITO薄膜层覆盖；(9)、对二次光刻胶曝光，(10)、对二次光刻胶显影并硬化，(11)、蚀刻ITO薄膜层，形成金属层和ITO薄膜层的复合电极图形以及二次光刻胶；(12)、去除光刻胶，形成金属电极和ITO电极的复合电极。本发明专利技术的优点在于：通过本发明专利技术的方法可以制作出金属层和ITO薄膜层的复合电极，即使表面的金属层被划伤、划断，电极仍然可以使用。用此本发明专利技术提高了电极的质量、增强电极的耐用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件中的触摸屏的制作方法，特别涉及一种电容触摸屏电极制 作方法。
技术介绍
电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率高，是当前显示 触控技术发展的主流方向。电容触摸屏的触摸感应部件一般为多个行电极、列电极相互交 错形成的感应矩阵，行电极和列电极设置在一片透明基板的同一面上。典型的金属电极的 制作方法包括第一步镀金属膜；第二步涂布光刻胶；第三步曝光；第四步显影、硬 化；第五步蚀刻金属；第六步去除光刻胶，形成设计图形的单层的金属电极。由于金属电 极较软，在玻璃表面较容易被划伤，从而造成断路，造成触摸屏损坏。针对上述问题进行检 索，尚未发现有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对现有的单层金属电极存在的表面较容易被划伤、从而导致 触摸屏损坏的缺点，提供的。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案，其特征在于包括以下步骤(1)、在基板上镀ITO薄膜层；(2)、在ITO薄膜层上镀金属层；(3)、金属层上涂布光刻胶；0)、对光刻胶曝光；(5)、对光刻胶显影并硬化；(6)、蚀刻金属层；(7)、去除光刻胶；(8)、涂布二次光刻胶，将蚀刻的金属层以及ITO薄膜层覆盖；(9)、对二次光刻胶曝光，(10)、对二次光刻胶显影并硬化，(11)、蚀刻ITO薄膜层，形成金属层和ITO薄膜层的复合电极图形以及二次光刻胶；(12)、去除光刻胶，形成金属电极和ITO电极的复合电极。本专利技术的优点在于通过本专利技术的方法可以制作出金属层和ITO薄膜层的复合电 极，即使表面的金属层被划伤、划断，电极仍然可以使用。用此本专利技术提高了电极的质量、增 强电极的耐用性能。附图说明图1是本专利技术的镀ITO薄膜层的示意3图2是本专利技术的镀金属层的示意图；图3是本专利技术的金属层上涂布光刻胶的示意图；图4是本专利技术对光刻胶4曝光的示意图；图5是本专利技术对光刻胶4显影并硬化的示意图；图6是本专利技术蚀刻金属层的示意图；图7是本专利技术去除光刻胶的示意图；图8是本专利技术涂布二次光刻胶的示意图；图9是本专利技术对二次涂布光刻胶曝光的示意图；图10是本专利技术对二次光刻胶显影并硬化的示意图；图11是本专利技术蚀刻ITO薄膜层的示意图；图12是本专利技术去二次除光刻胶的示意具体实施例方式本专利技术提供的，包括以下步骤第一步如图1所示，基板1上真空溅射ITO薄膜3，真空度0. 01 0.5Pa。温 度220 350°C，ITO的厚度5nm 25nm。基板1可以采用透明的玻璃、PET、有机玻璃，也 可以是不透明的材料。第二步如图2所示，真空溅射镀金属层2，金属层2可以是钼、铝、铬、锌、锡等。真 空度0. 01 0. 5Pa。温度40 250°C，如与ITO接触的钼的厚度10nm 50nm ；铝的厚度 IOOnm 250nm.；空气面的钼的厚度20nm 80nm。第三步如图3所示，涂布光刻胶。用辊轮或旋转涂布，厚度500 2000nm.均勻 性10%以内，预烘温度60 100°C。第四步如图4所示，在光刻机上光刻电极图形。紫外光波长365nm，光通量 60 150mj。金属电极图案的光罩5可以是菲林或者铬板，距离基板的尺寸20微米 200 微米。第五步如图5所示，显影并硬化，形成电极图形。采用有机碱，浓度1 4%，或 者ΝΑ0Η，浓度0. 1 0. 8%，温度20 40°C，时间20秒 300秒，硬化温度80 120°C . 时间20 50分钟。第六步如图6所示，蚀刻金属层2，形成金属电极2。用弱酸蚀刻金属。蚀刻时间 控制在10分钟内。在十分钟内，弱酸不会蚀刻ΙΤ0。弱酸组成磷酸(50% 80% )、醋酸 (5% 15% )。第七步如图7所示，去除光刻胶4。使用材料有机溶液(以二甘醇丁醚(80 90% )和己醇胺按(10% 20% ))，时间5分钟内，用纯水漂洗。第八步如图8所示，涂布二次光刻胶如。用辊轮或旋转涂布，厚度1000 2000nm，均勻性10%以内，预烘温度60 IOO0C0第九步如图9所示，曝光光刻。紫外光波长365nm，光通量60 150mj。ITO 图案的光罩6可以是菲林或者铬板，距离基板的尺寸20微米 200微米，对位精度根据设 计要求，必须保证显影后光刻胶完全覆盖金属电极。对位精度大于设备最大的对位精度的 30%。第十步如图10所示，显影并硬化。采用有机碱，浓度1 4%，或者ΝΑ0Η，浓度 0. 1 0. 8%，温度20 40°C，时间20秒 300秒，硬化温度80 120°C，时间20 50 分钟。第十一步如图10所示，蚀刻ΙΤ0，形成ITO薄膜层3与金属电极2的复合电极以 及二次光刻胶4a。蚀刻使用材料HCL10% 20% +HN032% 10%。温度40 60°C，时 间120 600秒。第十二步去除二次光刻胶4a，形成ITO电极3与金属电极2的复合电极。使用材 料有机溶液(以二甘醇丁醚(80 90% )和己醇胺按(10% 20% )).时间5分钟内。 用纯水漂洗。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容触摸屏电极制作方法，其特征在于包括以下步骤：（１）、在基板１上镀ＩＴＯ薄膜层（３）；（２）、在ＩＴＯ薄膜层（３）上镀金属层（２）；（３）、金属层（２）上涂布光刻胶（４）；（４）、对光刻胶（４）曝光；（５）、对光刻胶（４）显影并硬化；（６）、蚀刻金属层（２）；（７）、去除光刻胶（４）；（８）、涂布二次光刻胶（４ａ），将蚀刻的金属层（２）以及ＩＴＯ薄膜层（３）覆盖；（９）、对二次光刻胶（４ａ）曝光；（１０）、对二次光刻胶（４ａ）显影并硬化；（１１）、蚀刻ＩＴＯ薄膜层（３），形成金属层（２）和ＩＴＯ薄膜层（３）的复合电极图形以及二次光刻胶；（１２）、去除光刻胶（４ａ），形成金属电极（２）和ＩＴＯ电极（３）的复合电极。

【技术特征摘要】
1. 一种电容触摸屏电极制作方法，其特征在于包括以下步骤(I)、在基板1上镀ITO薄膜层(3)；O)、在ITO薄膜层(3)上镀金属层(2)；(3)、金属层(2)上涂布光刻胶(4)；(4)、对光刻胶(4)曝光；(5)、对光刻胶(4)显影并硬化；(6)、蚀刻金属层(2)；(7)、去除光刻胶(4)；(8)、涂布二...

【专利技术属性】
技术研发人员：周朝平，关玉华，肖新煌，林钟权，董宏碧，黄赵华，刘萍萍，
申请(专利权)人：晟光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：34