氢气净化方法和系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种氢气净化方法和系统，用于净化多晶硅生产过程中干法回收分离出的原料气，所述方法包括：吸收步骤，将所述原料气从吸附塔底部通入吸附塔内进行吸附提纯，所述吸附塔底部设置有吸附剂床层，所述吸附剂床层包括活性炭；解吸步骤，包括将完成吸收步骤的吸附塔进行热卸压、热吹扫；冷加压步骤，对吸附塔进行高纯氢气充压，同时对吸附剂床层进行冷却；冷却步骤，将完成冷加压步骤的吸附塔中的吸附剂床层继续进行冷却，直至冷却温度达到工艺控制指标。该方案通过变压吸附和变温吸附相结合的方式，增加了活性碳吸附剂对杂质的吸附容量；同时可以使活性吸附剂碳解吸或重新活化更容易，降低了活性碳中毒的可能性，增加了工艺可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产制造
，尤其涉及一种多晶硅生产过程中的氢气净化方法和系统。
技术介绍
硅材料是半导体工业中最重要且应用最广泛的元素半导体材料，是微电子工业和太阳能光伏工业的基础材料。硅材料有多种晶体形式，包括单晶硅、多晶硅、非晶硅。高纯多晶硅是制备单晶硅(包括区熔单晶硅和直拉单晶硅)和铸造多晶硅的主要原料。多晶硅是以石英砂(SiO2)为原料，通过与焦炭发生反应，形成纯度在99%左右的金属硅，然后通过改良西门子法或硅烷热分解法等技术，提纯为高纯多晶硅。目前，业界主要采用改良西门子方法生产高纯多晶硅，该方法是将金属硅粉与HCl气体通入合成炉在高温条件下合成为SiHCl3,经过精馏提纯的高纯SiHCl3在还原炉中与高纯H2在高温条件下发生气相沉积反应，高纯多晶硅在通电加热的硅芯表面沉积生长，从而长成多晶硅棒。从还原炉排出的高温尾气中主要含未参与反应的SiHCl3和H2,以及反应的副产物HC1、SiCl4和 SiH2Cl2等杂质。为了提高氢气的利用效率，降低生产成本，工业生产中通常采用干法回收系统回收尾气中的氢气，干法回收分离出的氢气中还含有微量的N2、02、CH4, CO、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氢气净化方法，用于净化多晶硅生产过程中干法回收分离出的原料气，其特征在于，包括：吸收步骤，将所述原料气从吸附塔底部通入吸附塔内进行吸附提纯，所述吸附塔底部设置有吸附剂床层，所述吸附剂床层包括活性炭；解吸步骤，包括将完成吸收步骤的吸附塔进行热卸压、向吸附塔进行通入高纯氢气进行热吹扫；冷加压步骤，对吸附塔进行高纯氢气充压，同时对吸附剂床层进行冷却；冷却步骤，将完成冷加压步骤的吸附塔中的吸附剂床层继续进行冷却，直至冷却温度达到工艺控制指标。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱国平，
申请(专利权)人：重庆大全新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：85