微电子单元及系统技术方案

公开了一种微电子单元，包括：半导体元件，其具有前表面，背离前表面的后表面，多个有源半导体器件，和多个导电垫，每个导电垫具有顶表面和底表面，半导体元件具有第一开口和至少一个第二开口；至少一个导电过孔部，其在相应的第二开口内延伸并且以与相应导电垫接触的方式沉积；至少一个导电互连，每个导电互连电连接到导电过孔部中相应的一个并且在第一开口内背离该导电过孔部延伸；以及至少一个导电触点，每个导电触点电连接至导电互连中相应的一个，至少一个导电触点暴露在半导体元件外侧；其中，第一开口限定出内表面，内表面的表面粗糙度大于1微米，并且内表面限定出相对于后表面60至100度的壁角度。还公开了包含该单元的系统。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子器件的封装，特别是半导体器件的封装。本技术特别 涉及一种微电子单元和包含该微电子单元的系统。
技术介绍
微电子元件通常包括半导体材料例如硅或砷化镓的薄板，通常称作裸片或半导体 芯片。半导体芯片通常被作为单独的、封装单元提供。在某些单元设计中，半导体芯片被安 装于基板或芯片载体上，基板或芯片载体被安装于电路板例如印制电路板上。有源电路被制作在半导体芯片的第一表面(例如前表面)上。为了便于电连接到 有源电路，芯片在同一表面上设置有焊垫。焊垫典型地布置为规则的阵列，或者围绕裸片的 边缘或者，对许多存储装置来说，在裸片中心处。焊垫通常由约0.5μπι厚的导电金属例如 铜或铝制成。焊垫的尺寸随装置的类型而不同，但典型地在一侧上有几十微米至几百微米 的尺寸。硅过孔技术(TSV)用于连接焊垫和半导体芯片的与第一表面相反的第二表面(例 如后表面)。传统的过孔包括穿透半导体芯片的孔和从第一表面至第二表面延伸通过孔的 导电材料。焊垫可以电连接到过孔上，以允许焊垫和半导体芯片第二表面上的导电元件之 间连通。传统的TSV孔可能会减少可以用于包含有源电路的第一表面的那部分。可以用于 有源电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种微电子单元，其特征在于，包括：半导体元件，其具有前表面，背离前表面的后表面，内部的多个有源半导体器件，和多个导电垫，每个导电垫具有暴露在所述前表面处的顶表面且具有背离所述顶表面的底表面，所述半导体元件具有第一开口，其从所述后表面朝向所述前表面延伸、部分地穿过半导体元件，和至少一个第二开口，每个第二开口从第一开口延伸并且暴露相应的一个导电垫的底表面的至少一部分；至少一个导电过孔部，其在相应的所述至少一个第二开口之一内延伸并且以与相应的导电垫接触的方式沉积；至少一个导电互连，每个导电互连电连接至所述至少一个导电过孔部中相应的一个并且至少在第一开口内背离该导电过孔部延伸；以及至少一个导电触点...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：V·奥甘赛安，B·哈巴，P·萨瓦利亚，I·默罕默德，C·米切尔，
申请(专利权)人：泰瑟拉研究有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：US