【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例通常涉及共源共栅放大器，更具体地讲，涉及在功率发送器系统 中的共源共栅放大器的反馈偏置。
技术介绍
在互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器设计中，存在两个主要争论点(1) 用于功率放大器的可靠性的电压应力减小以及(2)线性改善。装置的电压应力可导致氧化 物破坏和热载流子效应，并且可增加阈值电压并降低装置的性能。另外，由于大量的寄生电 容，CMOS技术具有内在的线性问题。因此，需要用于共源共栅放大器的反馈偏置。
技术实现思路
根据本专利技术的示例性实施例，存在一种用于功率发送器的系统。该系统可包括第 一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器 级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收 功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供 功率发送器的系统输出；反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二 栅极或基极连接。根据本专利技术的另一示例性实施例，存在用于功率发送器的另一系统。该系统可包 括第一放大器级，至少具有以第一共源共...
【技术保护点】
１．一种用于功率发送器的系统，包括：第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二栅极或基极连接。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田喊熙，李彰浩，乔伊·拉斯卡尔，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，佐治亚科技研究公司，
类型：发明
国别省市：KR
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