高压MOSFET驱动电路制造技术

一种高压MOSFET驱动电路，包括驱动开关组件第一高压开关电路PMOSFET和第二高压开关电路NMOSFET外，还包括第一电平位移电路，第二电平位移电路，第一分压电路，第二分压电路，第一栅极控制电路及第二栅极控制电路；在驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET的主通道上用稳压二极管代替传统高压MOSFET驱动电路中的三极管，大大的减小了整个驱动电路的静态功耗；而且直接用电阻分压的方式保证驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET它们的栅源极间电压不超过最大栅源极间电压值，既可以保证最大栅源极间电压的限制，还可以有效的降低整个电路的负载调整率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及MOSFET驱动控制电路，尤指一种高压MOSFET的驱动电路。
技术介绍
传统的高压MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应晶体管)驱动电路电路示意 图如图1，其连接关系是输入信号Vin直接与三极管NPN管Ql的基极以及三极管PNP管 Q2的基极相连，三极管NPN管Ql的发射极和三极管PNP管Q2的发射极与整个高压MOSFET 驱动电路的地相连，三极管Ql的集电极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端直接耦合 于驱动开关组件高压PMOSFET Pl的栅极，电容Cl和电阻Rl并联耦合于驱动开关组件高 压PM0SFET的栅源之间，稳压二极管DZl的阳极与驱动开关组件高压PMOSFET的栅极相连， 稳压二极管DZl的阴极与驱动开关组件高压PMOSFET的源极相连并耦合于直流高压正电 源Vdd ；三极管Q2的集电极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端直接耦合于驱动开关 组件高压NM0SFET的栅极，电容C2和电阻R4并联耦合于驱动开关组件高压NM0SFET的栅 源之间，稳压二极管DZ2的阴极与驱动开关组件高压NM0SFET的栅极相连，稳压二极管DZ2 的阳极与驱动开关组件高本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高压ＭＯＳＦＥＴ驱动电路，包括驱动开关组件第一高压开关电路ＰＭＯＳＦＥＴ和第二高压开关电路ＮＭＯＳＦＥＴ，其特征在于：它还包括第一电平位移电路，第二电平位移电路，第一分压电路，第二分压电路，第一栅极控制电路及第二栅极控制电路；所述第一分压电路的一端接整个电路的最高电位，其另一端与所述第一电平位移电路的一端耦接于Ａ；而该第一电平位移电路的另一端与所述第二电平位移电路的一端相连并耦接于输入信号Ｖｉｎ；该第二电平位移电路的另一端与第二分压电路的一端耦接于Ｂ；第二分压电路的另一端接整个电路的最低电平；所述第一分压电路的输出Ｃ与第一栅极控制电路的输入相连，第一栅极控制电路的输出Ｅ直接控制第一高压...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢艳，窦志源，曹萍萍，
申请(专利权)人：天水华天微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：62