一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置，高压驱动电路包括依次连接的TTL信号输入端、第一电平转换电路、第二电平转换电路以及驱动输出电路，所述的高压驱动电路安放在清除杂质设备中,清除杂质设备含有第一中空罩体与安装在第一中空罩体中的第二中空罩体，所述的第一中空罩体中安装有马达，所述的马达的马达轴上安装着第一进气扇，所述的第一中空罩体的一头是入风口，颗粒杂质导出口上罩着带有网孔的盖体，这样的结构避免了现有技术的杂质颗粒物往往会附着在高压驱动电路中而会对高压驱动电路的性能带来不好的影响的缺陷，保持了输出状态稳定不会烧坏后级器件。
【技术实现步骤摘要】
一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置
本专利技术属于驱动
，具体涉及一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置。
技术介绍
随着智能功率集成电路的快速发展，高压芯片的设计越来越受关注。高压驱动电路是高压芯片设计中不可或缺的重要部分，它要求大驱动能力、高耐压、小功耗和高可靠性等。同时由于控制电平为低压逻辑，所以高压电平转化电路的设计也至关重要。随着集成度的提高，高压驱动电路的小型化趋势也越来越高，这样不可避免的就会使得高压驱动电路的温度升高，从而影响设备的正常运行，故而就需要让高压驱动电路周围环境的空气保持流动，时时带走高压驱动电路的热量，但是由于空气中往往带有大量的杂质颗粒物，这些杂质颗粒物往往会附着在高压驱动电路中，这样也会对高压驱动电路的性能带来不好的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置，高压驱动电路包括依次连接的TTL信号输入端、第一电平转换电路、第二电平转换电路以及驱动输出电路，所述的高压驱动电路安放在清除杂质设备中,清除杂质设备含有第一中空罩体与安装在第一中空罩体中的第二中空罩体，所述的第一中空罩体中安装有马达，所述的马达的马达轴上安装着第一进气扇，所述的第一中空罩体的一头是入风口，颗粒杂质导出口上罩着带有网孔的盖体，这样的结构避免了现有技术的杂质颗粒物往往会附着在高压驱动电路中而会对高压驱动电路的性能带来不好的影响的缺陷，保持了输出状态稳定不会烧坏后级器件。为了克服现有技术中的不足，本专利技术提供了一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置的解决方案，具体如下：一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置，包括高压驱动电路，所述的高压驱动电路安放在清除杂质设备中,另外所述的清除杂质设备含有第一中空罩体108与安装在第一中空罩体108中的第二中空罩体109，所述的第一中空罩体108中安装有马达1010，所述的马达1010的马达轴上安装着第一进气扇102，所述的第一中空罩体108的一头是入风口，所述的第一中空罩体108的另一头是颗粒杂质导出口，所述的颗粒杂质导出口上罩着带有网孔的盖体106，所述的第二中空罩体109的一头是入风口，另外所述的第二中空罩体109的入风口位置套绕着反渗透膜103，所述的第二中空罩体109上还设有出风口，所述的出风口透过所述的第一中空罩体108，另外所述的第二中空罩体109中安装着为马达1010启动的第二进气扇107，所述的第二进气扇107与反渗透膜103都安装于马达1010的马达轴上，另外第二进气扇107设置在马达102与反渗透膜103间，所述的高压驱动电路安装在第二中空罩体109内。所述的高压驱动电路包括依次连接的TTL信号输入端301、第一电平转换电路302、第二电平转换电路303以及驱动输出电路304。所述的TTL信号输入端301包括输入电阻+SMITT结构，驱动输出电路304为输出驱动结构；所述的TTL信号输入端301带500K的下拉电阻，再串入约300Ω限流电阻，然后接SMITT结构；输入SMITT输出后的信号为0~5V电平，首先通过第一电平转换电路302转换为0~VCC电平信号，再通过第二电平转换电路303转换为VCC~VCC_110V电平信号。其中：VCC=20V或40V，VCC_10V=6V或15V；输出驱动结构即输出前级增加一个NMOS中间管，用于实现输出驱动的死区设计；输出管采用了薄栅氧高压器件，该类器件栅耐压为15V-20V-。所述的马达1010安装于第一中空罩体108内。所述的第一中空罩体108与第二中空罩体109之间构成颗粒杂质通路105，所述的第一中空罩体108的反渗透膜103与出风口间构成干净气流通路104。本专利技术第二进气扇107为马达1010启动而转动，第二进气扇107在转动期间把带有颗粒杂质的气流经由反渗透膜103吸进干净气流通路104内，反渗透膜103把颗粒杂质阻隔于干净气流通路104外部，颗粒杂质于转动的反渗透膜103所产生的外向力所驱使而由反渗透膜103上分离，由此让颗粒杂质由反渗透膜103上分离，而于颗粒杂质通路105中被导出清除杂质设备的外部，无法混入干净气流通路104中，由此实现了清除颗粒杂质的作用。附图说明图1为本专利技术的电路连接示意图。图2为本专利技术的清除杂质部件的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对
技术实现思路
作进一步说明：参照图1、图2所示，具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置，包括高压驱动电路，所述的高压驱动电路安放在清除杂质设备中,另外所述的清除杂质设备含有第一中空罩体108与安装在第一中空罩体108中的第二中空罩体109，所述的第一中空罩体108中安装有马达1010，所述的马达1010的马达轴上安装着第一进气扇102，所述的第一中空罩体108的一头是入风口，所述的第一中空罩体108的另一头是颗粒杂质导出口，所述的颗粒杂质导出口上罩着带有网孔的盖体106，所述的第二中空罩体109的一头是入风口，另外所述的第二中空罩体109的入风口位置套绕着反渗透膜103，所述的第二中空罩体109上还设有出风口，所述的出风口透过所述的第一中空罩体108，另外所述的第二中空罩体109中安装着为马达1010启动的第二进气扇107，所述的第二进气扇107与反渗透膜103都安装于马达1010的马达轴上，另外第二进气扇107设置在马达102与反渗透膜103间，所述的高压驱动电路安装在第二中空罩体109内。所述的第一中空罩体108与第二中空罩体109之间构成颗粒杂质通路105，所述的第一中空罩体108的反渗透膜103与出风口间构成干净气流通路104，所述的第二进气扇107为马达1010启动而转动，第二进气扇107在转动期间把带有颗粒杂质的气流经由反渗透膜103吸进干净气流通路104内，反渗透膜103把颗粒杂质阻隔于干净气流通路104外部，颗粒杂质于转动的反渗透膜103所产生的外向力所驱使而由反渗透膜103上分离，由此让颗粒杂质由反渗透膜103上分离，而于颗粒杂质通路105中被导出清除杂质设备的外部，无法混入干净气流通路104中，由此实现了清除颗粒杂质的作用。所述的高压驱动电路包括依次连接的TTL信号输入端301、第一电平转换电路302、第二电平转换电路303以及驱动输出电路304。所述的TTL信号输入端301包括输入电阻+SMITT结构，驱动输出电路304为输出驱动结构；所述的TTL信号输入端301带500K的下拉电阻，再串入约300Ω限流电阻，然后接SMITT结构；输入SMITT输出后的信号为0~5V电平，首先通过第一电平转换电路302转换为0~VCC电平信号，再通过第二电平转换电路303转换为VCC~VCC_110V电平信号。其中：VCC=20V或40V，VCC_10V=6V或15V；输出驱动结构即输出前级增加一个NMOS中间管，用于实现输出驱动的死区设计；考虑到输出驱动能力的要求，输出管采用了薄栅氧高压器件，该类器件栅耐压为15V-20V-。本电路用于稳压管，可保证栅源耐压在13V范围内。本专利技术的工作原理是：开启马达，马达驱动所述的第二进气扇107与第一进气扇102实现转动，所述的第二进气扇107在转动时把所述的第二进气扇107与反渗透膜103间形成吸力，由此把外界的气流经过反渗透膜103吸进干净气流通路104内，并本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置，其特征在于包括高压驱动电路，所述的高压驱动电路安放在清除杂质设备中,另外所述的清除杂质设备含有第一中空罩体与安装在第一中空罩体中的第二中空罩体，所述的第一中空罩体中安装有马达，所述的马达的马达轴上安装着第一进气扇，所述的第一中空罩体的一头是入风口，所述的第一中空罩体的另一头是颗粒杂质导出口，所述的颗粒杂质导出口上罩着带有网孔的盖体，所述的第二中空罩体的一头是入风口，另外所述的第二中空罩体的入风口位置套绕着反渗透膜，所述的第二中空罩体上还设有出风口，所述的出风口透过所述的第一中空罩体，另外所述的第二中空罩体中安装着为马达启动的第二进气扇，所述的第二进气扇与反渗透膜都安装于马达的马达轴上，另外第二进气扇设置在马达与反渗透膜间，所述的高压驱动电路安装在第二中空罩体内。
【技术特征摘要】
1.一种具有阻隔颗粒物的高压驱动电路装置，其特征在于包括高压驱动电路，所述的高压驱动电路安放在清除杂质设备中,另外所述的清除杂质设备含有第一中空罩体与安装在第一中空罩体中的第二中空罩体，所述的第一中空罩体中安装有马达，所述的马达的马达轴上安装着第一进气扇，所述的第一中空罩体的一头是入风口，所述的第一中空罩体的另一头是颗粒杂质导出口，所述的颗粒杂质导出口上罩着带有网孔的盖体，所述的第二中空罩体的一头是入风口，另外所述的第二中空罩体的入风口位置套绕着反渗透膜，所述的第二中空罩体上还设有出风口，所述的出风口透过所述的第一中空罩体，另外所述的第二中空罩体中安装着为马达启动的第二进气扇，所述的第二进气扇与反渗透膜都安装于马达的马达轴上，另外第二进气扇设置在马达与反渗透膜间，所述的高压驱动电路安装在第二中空罩体内；所述的高压驱动电路包括依次连接的TTL信号输入端、第一电平转换电路、第二电平转换电路以及驱动输出电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱勤辉，张林，窦延军，张春秋，
申请(专利权)人：江苏万邦微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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