形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法技术

本发明专利技术涉及形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法。半导体器件具有在指定用于凸点形成的位置处安装到暂时衬底的应力消除缓冲区。应力消除缓冲区可以是多层复合材料，诸如第一柔性层、在所述第一柔性层上形成的硅层以及在所述硅层上形成的第二柔性层。半导体管芯也安装到暂时衬底。应力消除缓冲区可以比半导体管芯薄。在半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂。去除暂时衬底。在半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构。互连结构电连接到半导体管芯。可以在应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。可以在应力消除缓冲区内形成包含有源器件、无源器件、导电层和介电层的电路层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及在大阵列WXSP和FO-WLCSP周 围形成柔性(compliant)应力消除缓冲区的半导体器件和方法。
技术介绍
半导体器件普遍存在于现代电子产品中。半导体器件在电部件的数量和密度方面 变化。分立半导体器件一般包含一种类型的电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、 电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。集成半导体器 件典型地包含几百到几百万个电部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电 荷耦合器件(CXD )、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD )。半导体器件执行各种各样的功能，诸如高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子 器件、把太阳光转换成电力以及为电视显示器创建视觉投影。半导体器件存在于娱乐、通 信、功率变换、网络、计算机和消费品中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控 制器和办公设备中。半导体器件利用半导体材料的电学属性。半导体材料的原子结构允许通过施加电 场或基极电流或者通过掺杂工艺来操纵其电导率。掺杂将杂质引入到半导体材料中以操纵 和控制半导体器件的电导率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括：形成应力消除缓冲区；提供暂时衬底；把半导体管芯安装到所述暂时衬底；把所述应力消除缓冲区安装到所述半导体管芯周围的所述暂时衬底；在所述半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂；去除所述暂时衬底；以及在所述半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构，该互连结构电连接到所述半导体管芯。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，沈一权，邹胜源，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，
类型：发明
国别省市：SG