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本发明涉及形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法。半导体器件具有在指定用于凸点形成的位置处安装到暂时衬底的应力消除缓冲区。应力消除缓冲区可以是多层复合材料，诸如第一柔性层、在所述第一柔性层上形成的硅层以及在所述硅层上形成的第二柔性层。半导...
该专利属于新科金朋有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新科金朋有限公司授权不得商用。

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