电子发射器件、电子源和图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了电子发射器件、电子源和图像显示装置，该电子发射器件包括包含钼的电子发射膜。通过利用X射线光电子光谱法测量该电子发射膜的表面获得的光谱具有第一峰和次峰，第一峰具有在229±0.5eV范围内的峰顶，次峰具有在228.1±0.3eV范围内的峰顶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子发射器件、电子源和图像显示装置。
技术介绍
场发射型电子发射器件正在吸引越来越多的注意。日本专利公开No. 05-021002 公开了在由金属钼构成的发射器芯片和栅极层的表面上形成MoO3氧化膜，以及去除该氧化 膜，以便校正发射器芯片的形状并且调整发射器芯片和栅极层之间的距离。日本专利公开 No. 09-306339公开了在钼阴极表面上形成MoO3膜，以及通过后续加热去除MoO3膜。日本 专利公开No. 2001-167693公开了一种电子发射器件，其包括在表面中具有凹部的绝缘层 和一对导电膜。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种电子发射器件，该电子发射器件包括包含钼的电子 发射膜。通过X射线光电子光谱法测量该电子发射膜的表面所获得的光谱具有第一峰和次 峰(sub peak)，第一峰在2 士 0. 5eV的范围内具有峰顶，次峰在228. 1 士 0. 3eV的范围内具 有峰顶。从下文参考附图对示例实施例的描述，本专利技术的其它特征变得清楚。 附图说明图1是包含钼的膜的X射线光电子光谱。图2A和2B是示出了电子发射器件的结构的例子的示意图。图3是比较例的X本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电子发射器件，包括：包含钼的电子发射膜，其中通过利用Ｘ射线光电子光谱法测量所述电子发射膜的表面获得的光谱具有第一峰和次峰，第一峰在２２９±０．５ｅＶ的范围内具有峰顶，次峰在２２８．１±０．３ｅＶ的范围内具有峰顶。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：元井泰子，尾崎荣治，藤原良治，北尾晓子，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP