【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种声电荷输运器件(ACT，Acoustic Charge "Transport)，尤其 涉及一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线。
技术介绍
ACT器件是一种高频高速模拟信号处理器，是把电荷耦合器件与声表面波器件结 合起来的一种新型半导体器件，可以直接应用于射频领域。它是一种完全可编程模拟信号 处理器，不需要A/D和D/A转换器，具有信号处理速度快、可靠性高、功耗低、尺寸小、重量轻 等优点。用ACT器件构成的横向滤波器、自适应滤波器和均衡器等已经广泛应用于军事防 御、商业系统中。对于ACT器件来说，材料的选取极其重要，直接关系着ACT器件研究的成功与否。 ACT器件要求所选用的半导体材料既具有强压电性能以获得较高的声表面波电势场，同时 要求其具备高电子迁移率以获得高的转移效率。GaAs材料具有压电特性和高电子迁移率， 符合ACT技术要求，一直为ACT技术的理想材料。但是，GaAs材料美中不足的是其压电性 能较弱，需要较大的功率才能产生足够大的声表面波电势场，并且一般只应用于窄带ACT 器件，虽然利用压电薄膜技术可以得到带宽比较大的器件，但是随...
【技术保护点】
１．一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述氮化镓铝势垒层两端有电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高怀，张晓东，王晓彧，陈涛，薛川，
申请(专利权)人：苏州英诺迅科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。