一种改善功率放大器自加热效应的电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种改善功率放大器自加热效应的电路，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT；功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端；功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号；基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大；每个HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块；所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地；所述偏置模块，用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。输入信号功率较小时，仅镇流电阻小的HBT导通；输入信号功率增大时，其它HBT逐渐导通；在不影响功率输出的前提下从根本上解决热效应的问题。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改善功率放大器自加热效应的电路，其特征在于，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT；所述功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端；所述功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号；所述基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大；每个所述HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块；所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地；所述偏置模块，用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高怀，孙晓红，田婷，陈涛，
申请(专利权)人：苏州英诺迅科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：