填充组合物、包括其的半导体装置及该半导体装置的制法制造方法及图纸

本发明专利技术提供填充组合物、包括其的半导体装置及该半导体装置的制法。所述填充组合物包含：包括Cu和/或Ag的第一颗粒；使第一颗粒电连接的第二颗粒；以及所述第一和第二颗粒分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂以及还原剂的树脂，其中所述硬化剂包括胺和/或酸酐，且所述还原剂包括羧基。

【技术实现步骤摘要】

本文公开 的本专利技术涉及填充组合物、包括其的半导体装置、以及制造该半导体装置的方法，且更具体地，涉及通过设置在基板之间而使所述基板电连接的填充组合物、包括该填充组合物的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。
技术介绍
通常，在半导体装置的制造过程中，通过设置在多个基板之间而使所述基板电连接的导电图案是通过使用典型地包含银颗粒和树脂的组合物而形成的。仅包含银颗粒和树脂的组合物的电阻由于树脂中的氧化物或其它外界条件而增加。因此，如果形成由所述组合物制成的导电图案以通过设置在基板之间而使所述基板电连接，则所述导电图案的电阻变高，使得可出现电连接方面的缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供具有低电阻的填充组合物。本专利技术还提供包括该填充组合物的半导体装置。本专利技术还提供制造该半导体装置的方法。本专利技术的各实施方式提供填充组合物，其包含包括Cu和/或Ag的第一颗粒；使所述第一颗粒电连接的第二颗粒；以及所述第一和第二颗粒分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂以及还原剂的树脂，其中所述硬化剂包括胺和/或酸酐，且所述还原剂包括羧基。在一些实施方式中，所述第一颗粒可占所述组合物的约5体积％ 约40体本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．填充组合物，包含：包括Ｃｕ和／或Ａｇ的第一颗粒；使所述第一颗粒电连接的第二颗粒；以及所述第一和第二颗粒分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂以及还原剂的树脂，其中所述硬化剂包括胺和／或酸酐，且所述还原剂包括羧基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：严龙成，文钟太，崔光成，裵贤哲，李宗津，
申请(专利权)人：韩国电子通信研究院，
类型：发明
国别省市：KR