防水远红外芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防水远红外芯片，其特征在于：所述远红外芯片包括两层结构，分别为远红外基片(1)和复合在其表面的PET保护膜层(2)；所述远红外基片(1)包括PET基片(1.1)，所述PET基片(1.1)表面靠近上、下两边边缘处设置有两条导电银浆涂层(1.2)，所述PET基片(1.1)中部涂覆有导电油墨涂层(1.3)，所述导电油墨涂层(1.3)的上、下两边边缘分别与两条导电银浆涂层(1.2)搭接，所述两条导电银浆涂层(1.2)外贴覆有导电条(1.4)，所述PET保护膜层(2)完全覆盖所述两导电银浆涂层(1.2)和所述导电油墨涂层(1.3)。本实用新型专利技术体积小，重量轻，柔韧性好、防水性好。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．　一种防水远红外芯片，其特征在于：所述远红外芯片包括两层结构，分别为远红外基片（１）和复合在其表面的ＰＥＴ保护膜层（２）；所述远红外基片（１）包括ＰＥＴ基片（１．１），所述ＰＥＴ基片（１．１）表面靠近上、下两边边缘处设置有两条导电银浆涂层（１．２），所述ＰＥＴ基片（１．１）中部涂覆有导电油墨涂层（１．３），所述导电油墨涂层（１．３）的上、下两边边缘分别与两条导电银浆涂层（１．２）搭接，所述两条导电银浆涂层（１．２）外贴覆有导电条（１．４），所述ＰＥＴ保护膜层（２）完全覆盖所述两导电银浆涂层（１．２）和所述导电油墨涂层（１．３）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陆文昌，
申请(专利权)人：江阴市霖肯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32